[发明专利]膜厚测量装置及膜厚测量方法有效
| 申请号： | 201680054552.8 | 申请日： | 2016-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN108027236B | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 高濑惠宏;中西英俊;木濑一夫;河野元宏;川山巌;斗内政吉 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团;国立大学法人大阪大学 |
| 主分类号： | G01B15/02 | 分类号： | G01B15/02;G01B11/06 |
| 代理公司： | 72003 隆天知识产权代理有限公司 | 代理人： | 向勇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种在锂离子电池的制造工序中，以非接触的方式进行膜的膜厚检查的技术，该膜包括形成于集电体的活性物质材料。膜厚测量装置(1)具有：太赫兹波照射部(10)，向样品(9)照射太赫兹波(LT1)；反射波检测部(30A)，具有用于检测被样品(9)反射的太赫兹波(LT1)的反射波(LT3)的光传导开关(34A)。膜厚测量装置(1)具有：时间差获取模块(509)，获取由反射波检测部(30A)检测出的反射波(LT3)中的表面反射波(LT31)与界面反射波(LT32)到达光传导开关(34A)的时间差(Δt)，该表面反射波(LT31)是被样品(9)的活性物质膜(91)的表面反射的波，该界面反射波(LT32)是被样品(9)的活性物质膜(91)与集电体(93)的界面反射的波；膜厚计算部(511)，基于时间差(Δt)及活性物质膜(91)的折射率(n | ||
| 搜索关键词： | 测量 装置 测量方法 | ||
【主权项】：
1.一种膜厚测量装置，用于测量在集电体上形成的活性物质膜的膜厚，其中，所述膜厚测量装置具有：/n太赫兹波照射部，向样品照射频带包括在0.01THz至10THz内的太赫兹波；/n反射波检测部，具有检测器，所述检测器用于检测被所述样品反射的所述太赫兹波的反射波；/n时间差获取部，获取由所述反射波检测部检测出的所述反射波中的表面反射波和界面反射波到达所述检测器的时间差，所述表面反射波是被所述样品的所述活性物质膜的表面反射的波，所述界面反射波是被所述样品的所述活性物质膜与所述集电体的界面反射的波；以及/n膜厚计算部，基于所述时间差及所述活性物质膜的折射率来计算所述活性物质膜的膜厚，/n所述时间差获取部基于所述反射波的时间波形中的峰值时间来获取所述时间差，/n所述时间差获取部通过从利用所述样品得到的所述反射波的时间波形中减去利用表面反射样本得到的所述反射波的时间波形，来确定所述界面反射波的峰值时间，/n所述表面反射样本是在所述集电体的表面上形成了如下厚度的所述活性物质膜的样本，该厚度是在被照射太赫兹波时将所述界面反射波全部吸收的厚度。/n
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