[发明专利]用于制造辐射探测器的方法和辐射探测器有效
申请号: | 201680053905.2 | 申请日: | 2016-09-16 |
公开(公告)号: | CN108028263B | 公开(公告)日: | 2022-10-21 |
发明(设计)人: | H·利夫卡;J·M·E·贝肯;R·库霍恩;P·A·范哈尔;H·K·维乔雷克;H·胡梅尔;C·R·龙达;M·西蒙 | 申请(专利权)人: | 皇家飞利浦有限公司 |
主分类号: | H01L27/30 | 分类号: | H01L27/30;G01T1/20 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 王英;刘炳胜 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及一种用于制造用于探测电离辐射的辐射探测器的方法,所述辐射探测器包括作为直接转换材料和/或作为探测器层中的闪烁体材料的第一无机‑有机卤化物钙钛矿材料(24),并且涉及借助于该方法的步骤制造的包括探测器层(24)的辐射探测器。为了提供一种制造适用于辐射探测器的钙钛矿材料的厚层(例如超过10μm)的方法,建议在引晶层(23)上选择性地生长材料,产生厚的多晶层。生长前驱钛矿材料的一个合适的引晶层(23)由溴化钙钛矿材料制成。 | ||
搜索关键词: | 用于 制造 辐射 探测器 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于制造用于电离辐射的辐射探测器的方法,所述辐射探测器在探测器层(4、14、24)中包括作为直接转换材料和/或作为闪烁体材料的第一无机-有机卤化物钙钛矿材料,所述方法包括:提供包括与所述第一无机-有机卤化物钙钛矿材料不同的第二无机-有机卤化物钙钛矿材料的引晶层(3、13、23)的引晶步骤(101),以及通过从所述引晶层(3、13、23)上的溶液生长所述第一无机-有机卤化物钙钛矿材料来形成所述探测器层(4、14、24)的层生长步骤(102)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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