[发明专利]用于基于模型的临界尺寸测量的技术及系统有效
申请号: | 201680051207.9 | 申请日: | 2016-09-01 |
公开(公告)号: | CN107924852B | 公开(公告)日: | 2020-04-03 |
发明(设计)人: | 阿卜杜勒拉赫曼(阿波)·塞兹吉内尔;E·韦拉;B·加纳帕蒂;刘燕维 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 张世俊 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 利用成像系统检验光罩,以获得在所述光罩上的结构的经测量图像,且所述结构具有未知临界尺寸CD。使用模型、使用描述用于在所述光罩上形成所述结构的图案的设计数据库来产生经计算图像。所述模型基于以下项产生所述经计算图像:所述结构的光罩材料的光学性质、所述成像系统的计算模型及可调整CD。通过调整所述可调整CD且迭代地重复产生经计算图像的所述操作而最小化所述经测量图像与所述经计算图像之间的差值的范数,以针对所述结构的所述未知CD获得最终CD。对所述可调整CD及所述成像系统的一或多个不确定参数同时执行最小化所述差值的所述范数。 | ||
搜索关键词: | 用于 基于 模型 临界 尺寸 测量 技术 系统 | ||
【主权项】:
一种测量光罩上的临界尺寸偏差的方法,所述方法包括:利用成像系统检验所述光罩以获得在所述光罩上的结构的经测量图像,其中所述结构具有未知临界尺寸值;使用模型、使用描述用于在获得所述经测量图像的所述光罩上形成所述结构的图案的设计数据库来产生经计算图像,其中所述模型基于以下项产生所述经计算图像:对应于所述结构的光罩材料的光学性质、所述成像系统的计算模型及可调整临界尺寸;通过调整所述可调整临界尺寸且迭代地重复产生经计算图像的所述操作而最小化所述经测量图像与所述经计算图像之间的差值的范数以导致最终模型临界尺寸,其中对所述可调整临界尺寸及所述成像系统的一或多个不确定参数同时执行最小化所述差值的所述范数;及将所述未知临界尺寸值定义为导致所述差值的所述范数的最小化的所述最终临界尺寸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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