[发明专利]空穴传输材料在审

专利信息
申请号: 201680045761.6 申请日: 2016-08-04
公开(公告)号: CN107925001A 公开(公告)日: 2018-04-17
发明(设计)人: N·S·拉杜;A·费尼莫尔;T·N·霍尔特;G·M·罗西 申请(专利权)人: E.I.内穆尔杜邦公司
主分类号: H01L51/00 分类号: H01L51/00;H01L51/50
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司31100 代理人: 江磊,朱黎明
地址: 美国特*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种有机电子装置结构具有第一电接触层,阳极层和第二电接触层,阴极层,以及介于它们之间的光活性层。与该阳极相邻的可以是空穴注入层,有时称为缓冲层。与该空穴注入层相邻的可以是包含空穴传输材料的空穴传输层,其中新化合物可用作空穴传输材料。与该阴极相邻的可以是包含电子传输材料的电子传输层。
搜索关键词: 空穴 传输 材料
【主权项】:
一种具有式I的空穴传输化合物:其中:Ar1‑Ar3选自由芳基基团和氘代芳基基团组成的组,前提是Ar1与Ar2不相同;E在每次出现时是相同或不同的并且选自下组,该组由以下各项组成:H、D、卤化物、烷基、芳基、硅氧烷、氘代烷基、氘代芳基、氘代硅氧烷和交联基团;并且n是大于或等于1的整数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于E.I.内穆尔杜邦公司,未经E.I.内穆尔杜邦公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201680045761.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top