[发明专利]火花塞有效
| 申请号： | 201680030651.2 | 申请日： | 2016-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN107615605B | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 角力山大典;仲田拓人 | 申请（专利权）人： | 日本特殊陶业株式会社 |
| 主分类号： | H01T13/39 | 分类号： | H01T13/39;H01T13/20 |
| 代理公司： | 11219 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 高培培;谢丽娜<国际申请>=PCT/JP |
| 地址： | 日本爱知*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题在于提供一种火花塞，当在高温环境下且在严酷的冷热循环环境下使用的情况下通过在长时间内抑制端头的异常消耗而耐久性优异。包括设置于中心电极以及接地电极中的至少一方的端头，上述端头包括主体部、包覆层和高电阻率层，上述主体部中，Ir的含量最多，并且，含有2质量％以上的Rh或者Pt，在将具有与Ir、Rh以及Pt的室温下的晶体结构不同的晶体结构的金属元素设为A组元素时，上述主体部中不含有上述A组元素或者上述A组元素的合计含有率为24质量％以下，并且，上述主体部中除去Ru以外的A组元素的合计含有率低于7质量％，上述高电阻率层设置于上述主体部的侧周面，Ni含有率比上述主体部的Ni含有率多且低于50质量％，自身的厚度是2μm以上且45μm以下，上述包覆层设置于上述高电阻率层的侧周面，并含有50质量％以上的Ni，自身的厚度是3μm以上且20μm以下，上述端头的室温下的电阻率是20×10‑8Ωm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 火花塞 | ||
【主权项】：
1.一种火花塞，包括：/n中心电极；/n接地电极，以在与所述中心电极之间设置有间隙的方式配置；以及/n端头，设置于所述中心电极与所述接地电极的相对的各自的末端部中的至少一个末端部，并且沿轴线方向延伸，/n所述火花塞的特征在于，/n所述端头包括主体部、包覆层和高电阻率层，/n所述主体部中，Ir的含量最多，并且，含有2质量％以上的Rh或者Pt，在将具有与Ir、Rh以及Pt的室温下的晶体结构不同的晶体结构的金属元素设为A组元素时，所述主体部中不含有所述A组元素中的任意金属元素，或者所述A组元素的合计含有率为24质量％以下，并且，所述主体部中除去Ru以外的A组元素的合计含有率低于7质量％，/n所述高电阻率层设置于所述主体部的侧周面，所述高电阻率层的Ni含有率比所述主体部的Ni含有率多且低于50质量％，所述高电阻率层自身的厚度是2μm以上且45μm以下，/n所述包覆层设置于所述高电阻率层的侧周面，并含有50质量％以上的Ni，所述包覆层自身的厚度是3μm以上且20μm以下，/n所述端头的室温下的电阻率是20×10-8Ωm以下。/n
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- 火花塞-201680030651.2
- 角力山大典;仲田拓人 - 日本特殊陶业株式会社
- 2016-05-16 - 2019-11-22 - H01T13/39
- 本发明的课题在于提供一种火花塞，当在高温环境下且在严酷的冷热循环环境下使用的情况下通过在长时间内抑制端头的异常消耗而耐久性优异。包括设置于中心电极以及接地电极中的至少一方的端头，上述端头包括主体部、包覆层和高电阻率层，上述主体部中，Ir的含量最多，并且，含有2质量％以上的Rh或者Pt，在将具有与Ir、Rh以及Pt的室温下的晶体结构不同的晶体结构的金属元素设为A组元素时，上述主体部中不含有上述A组元素或者上述A组元素的合计含有率为24质量％以下，并且，上述主体部中除去Ru以外的A组元素的合计含有率低于7质量％，上述高电阻率层设置于上述主体部的侧周面，Ni含有率比上述主体部的Ni含有率多且低于50质量％，自身的厚度是2μm以上且45μm以下，上述包覆层设置于上述高电阻率层的侧周面，并含有50质量％以上的Ni，自身的厚度是3μm以上且20μm以下，上述端头的室温下的电阻率是20×10‑8Ωm以下。
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