[发明专利]用于制备具有低含量长链支化的高分子量乙烯/α-烯烃/非共轭互聚物的方法

摘要

本发明提供一种形成包含至少一种乙烯/α‑烯烃/非共轭多烯互聚物的聚合物组合物的方法，并且其中所述聚合物组合物具有至少以下性质：a)大于或等于1.80(g/mol)/(Pa·s)的Mw/V0.1比率；所述方法包含在包含如文中所述的式(I)的金属‑配体络合物的催化剂系统存在下，使包含乙烯、α‑烯烃和非共轭多烯的一种或多种混合物聚合。

主权项

一种形成包含至少一种乙烯/α‑烯烃/非共轭多烯互聚物的聚合物组合物的方法，并且其中所述聚合物组合物具有至少以下性质：a)大于或等于1.80(g/mol)/(Pa·s)的Mw/V0.1比率；所述方法包含在包含式(I)的金属‑配体络合物的催化剂系统存在下，使包含乙烯、α‑烯烃和非共轭多烯的一种或多种混合物聚合：其中：M是钛、锆或铪，各自独立地是+2、+3或+4的形式氧化态；以及n是0至3的整数，以及其中当n为0时，X不存在；以及每个X独立地是(C1‑C40)烃基、(C1‑C40)杂烃基或卤素，并且其中每个X独立地是中性、单阴离子或双阴离子的单齿配体；或其中两个X一起形成中性、单阴离子或双阴离子的双齿配体；以及其中按照使式I的金属‑配体络合物总体上是中性的方式来选择X和n；以及每个Z独立地是氧原子、硫原子、‑N[(C1‑C40)烃基]‑或‑P[(C1‑C40)烃基]‑；以及L是经取代或未经取代的(C1‑C40)亚烃基、或经取代或未经取代的(C1‑C40)杂亚烃基，以及其中，对于L，(C1‑C40)亚烃基具有包含连接式I中的R21和R22(L键合到其上)的1个碳原子至10个碳原子连接基团主链的部分，或其中，对于L，(C1‑C40)杂亚烃基具有包含连接式I中的R21和R22的1个碳原子至10个碳原子连接基团主链的部分，其中所述(C1‑C40)杂亚烃基的1个碳原子至10个碳原子连接基团主链的1至10个原子中的每一个独立地是以下中的一个：i)碳原子，ii)杂原子，其中每个杂原子独立地是‑O‑或‑S‑，或iii)选自‑S(O)‑、‑S(O)2‑、‑Si(RC)2‑、‑Ge(RC)2‑、‑P(RC)‑、或‑N(RC)‑的取代基，并且其中每个RC独立地为经取代或未经取代的(C1‑C30)烃基、或经取代或未经取代的(C1‑C30)杂烃基；以及R21和R22分别独立地为C或Si；以及R1至R20分别独立地选自以下组成的组：经取代或未经取代的(C1‑C40)烃基、经取代或未经取代的(C1‑C40)杂烃基、‑Si(RC)3、‑Ge(RC)3、‑P(RC)2、‑N(RC)2、‑ORC、‑SRC、‑NO2、‑CN、‑CF3、‑S(O)RC、‑S(O)2RC、‑N＝C(RC)2、‑OC(O)RC、‑C(O)ORC、‑N(R)C(O)RC、‑C(O)N(RC)2、卤素原子、和氢原子；以及其中每个RC独立地是经取代或未经取代的(C1‑C30)烃基、或经取代或未经取代的(C1‑C30)杂烃基；以及其中当R17为氢原子时，则R18为经取代或未经取代的(C1‑C40)烃基、经取代或未经取代的(C1‑C40)杂烃基、‑Si(RC)3、‑Ge(RC)3、‑P(RC)2、‑N(RC)2、‑ORC、‑SRC、‑NO2、‑CN、‑CF3、‑S(O)RC、‑S(O)2RC、‑N＝C(RC)2、‑OC(O)RC、‑C(O)ORC、‑N(R)C(O)RC、‑C(O)N(RC)2、卤素原子；并且其中每个RC独立地为经取代或未经取代的(C1‑C30)烃基、或经取代或未经取代的(C1‑C30)杂烃基；或者其中当R18为氢原子时，则R17为经取代或未经取代的(C1‑C40)烃基、经取代或未经取代的(C1‑C40)杂烃基、‑Si(RC)3、‑Ge(RC)3、‑P(RC)2、‑N(RC)2、‑ORC、‑SRC、‑NO2、‑CN、‑CF3、‑S(O)RC、‑S(O)2RC、‑N＝C(RC)2、‑OC(O)RC、‑C(O)ORC、‑N(R)C(O)RC、‑C(O)N(RC)2、卤素原子；并且其中每个RC独立地为经取代或未经取代的(C1‑C30)烃基、或经取代或未经取代的(C1‑C30)杂烃基；和/或其中当R19为氢原子时，则R20为经取代或未经取代的(C1‑C40)烃基、经取代或未经取代的(C1‑C40)杂烃基、‑Si(RC)3、‑Ge(RC)3、‑P(RC)2、‑N(RC)2、‑ORC、‑SRC、‑NO2、‑CN、‑CF3、‑S(O)RC、‑S(O)2RC、‑N＝C(RC)2、‑OC(O)RC、‑C(O)ORC、‑N(R)C(O)RC、‑C(O)N(RC)2、卤素原子；并且其中每个RC独立地为经取代或未经取代的(C1‑C30)烃基、或经取代或未经取代的(C1‑C30)杂烃基；或者其中当R20为氢原子时，则R19为经取代或未经取代的(C1‑C40)烃基、经取代或未经取代的(C1‑C40)杂烃基、‑Si(RC)3、‑Ge(RC)3、‑P(RC)2、‑N(RC)2、‑ORC、‑SRC、‑NO2、‑CN、‑CF3、‑S(O)RC、‑S(O)2RC、‑N＝C(RC)2、‑OC(O)RC、‑C(O)ORC、‑N(R)C(O)RC、‑C(O)N(RC)2、卤素原子；并且其中每个RC独立地为经取代或未经取代的(C1‑C30)烃基、或经取代或未经取代的(C1‑C30)杂烃基；以及其中，对于式I，R1至R22中的两个或更多个任选地可以形成一个或多个环结构，并且其中每个环结构在环中具有3至50个原子，不包括任何氢原子。