[实用新型]一种高密度高速存储板卡有效

专利信息
申请号: 201620993169.6 申请日: 2016-08-29
公开(公告)号: CN206147601U 公开(公告)日: 2017-05-03
发明(设计)人: 吴惠阳 申请(专利权)人: 西安辉道电子科技有限公司
主分类号: G06F13/16 分类号: G06F13/16
代理公司: 北京挺立专利事务所(普通合伙)11265 代理人: 叶树明
地址: 710000 陕西省西安市雁塔区太白*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 实用新型公开了一种高密度高速存储板卡,包括NAND Flash阵列模块、FPGA模块、配置芯片模块、电源管理模块以及接口模块,存储板通过FPGA模块实现了对NAND Flash阵列模块的并行流水读写,达到单板最大3TB容量、存储带宽1.5GB/s的存储系统,具有单板高密度、高速访问的特点,并且上位机能够通过PCIe或者SATA接口控制访问存储系统,本实用新型还具有系统易于集成,数据通信速率高的优点,可应用于雷达高速数据采集存储、半实物仿真等领域对数据存储容量和存储带宽要求较高的场合。
搜索关键词: 一种 高密度 高速 存储 板卡
【主权项】:
一种高密度高速存储板卡,包括NAND Flash阵列模块、FPGA模块、配置芯片模块、电源管理模块以及接口模块,其特征在于:所述配置芯片模块包括96片FLASH芯片,所述配置芯片模块连接FPGA模块;所述接口模块包括PCIe接口、SATA接口以及SRIO接口,所述接口模块连接FPGA模块,所述电源管理模块连接FPGA模块,还包括AD模块、JTAG模块、复位模块、指示灯、FLASH存储器、串行NOR FLASH模块,所述AD模块、JTAG模块、复位模块、指示灯、FLASH存储器、串行NOR FLASH模块分别连接FPGA模块。
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