[实用新型]晶圆热压超声植球装置有效
| 申请号： | 201620914063.2 | 申请日： | 2016-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN205911287U | 公开（公告）日： | 2017-01-25 |
| 发明（设计）人： | 金中;何西良;曾祥君;罗旋升;罗欢 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 重庆博凯知识产权代理有限公司50212 | 代理人： | 李海华 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种晶圆热压超声植球装置，包括加热台、超声杆和劈刀，在劈刀上缠绕有加热线圈，加热线圈通过开关与电源连接。测温装置与功率控制模块连接，功率控制模块与电源连接，功率控制模块根据测温装置检测到的劈刀头温度控制电源的功率大小，以使劈刀头温度维持在需要水平。本实用新型利用加热线圈将劈刀加热到需要的工艺温度，使劈刀内的金丝温度升高；同时超声杆将超声能量传递到劈刀，在摩擦热和加热线圈传导给金丝的热共同作用下，将金丝熔化，完成植球工艺。本实用新型能够解决晶圆上芯片烧伤问题，晶圆上的图形不存在位移问题，植球效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 热压 超声 装置 | ||
【主权项】：
晶圆热压超声植球装置，包括加热台、超声杆和劈刀，劈刀安装在超声杆前端；其特征在于：在劈刀上缠绕有加热线圈，加热线圈通过开关与电源连接；还包括测温装置，测温装置用于检测劈刀头温度；所述测温装置与功率控制模块连接，功率控制模块与电源连接，功率控制模块根据测温装置检测到的劈刀头温度控制电源的功率大小，以使劈刀头温度维持在需要水平。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
