[实用新型]一种晶圆裂片装置有效
| 申请号： | 201620905171.3 | 申请日： | 2016-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN205911289U | 公开（公告）日： | 2017-01-25 |
| 发明（设计）人： | 马钰;梁鸿顺;吴钊;魏峰;陈文志;魏莹;蔡家豪;邱智中;张家宏 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67;B28D5/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 一种晶圆裂片装置，至少包括晶圆，所述晶圆具有复数条切割道；加工平台，所述晶圆置于所述加工平台上；劈裂机构，所述劈裂机构位于所述加工平台上方；图像获取机构，所述图像获取机构位于所述加工平台的下方；其特征在于所述裂片装置还包括用于加热晶圆以消除双晶的加热平台，位于所述加热平台一侧对所述晶圆进行吹扫的风机，以及在所述加工平台和加热平台之间转移所述晶圆的转移机构。本实用新型通过在现有的裂片机上增设加热平台和离子风机，采用冷热冲击将检测到的具有双晶现象等异常的晶圆及时进行处理，以消除异常，从而进一步提高裂片良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 裂片 装置 | ||
【主权项】：
一种晶圆裂片装置，至少包括：晶圆，所述晶圆具有复数条切割道；加工平台，所述晶圆置于所述加工平台上；劈裂机构，所述劈裂机构位于所述加工平台上方；图像获取机构，所述图像获取机构位于所述加工平台的下方；其特征在于：所述裂片装置还包括用于加热晶圆以消除双晶的加热平台，位于所述加热平台一侧对所述晶圆进行吹扫的风机，以及在所述加工平台和加热平台之间转移所述晶圆的转移机构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
