[实用新型]一种大导电面积高效率的沟槽式肖特基芯片有效
| 申请号： | 201620872544.1 | 申请日： | 2016-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN205900555U | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 关仕汉 | 申请（专利权）人： | 淄博汉林半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 淄博佳和专利代理事务所37223 | 代理人： | 孙爱华 |
| 地址： | 255086 山东省淄博市高新技术*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种大导电面积高效率的沟槽式肖特基芯片，属于半导体制造领域。包括外延层（3），在外延层（3）的表面开设有多个沟槽（5），其特征在于在所述沟槽（5）的底部形成与外延层（3）半导体类型相反的反型区，在沟槽（5）侧壁的中下部设置有氧化层（4），在沟槽（5）内部填充有多晶硅（6），在外延层（3）的表面，沟槽（5）侧壁上部以及多晶硅（6）的表面形成肖特基界面（1）。在本大导电面积的沟槽式肖特基芯片中，在相同芯片面积的前提下，兼顾了芯片的耐压能力以及导电面积，提高了导电效率同时反向电压的承受能力大大提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 导电 面积 高效率 沟槽 式肖特基 芯片 | ||
【主权项】：
一种大导电面积高效率的沟槽式肖特基芯片，包括外延层（3），在外延层（3）的表面开设有多个沟槽（5），其特征在于：在所述沟槽（5）的底部形成与外延层（3）半导体类型相反的反型区，在沟槽（5）侧壁的中下部设置有氧化层（4），在沟槽（5）内部填充有多晶硅（6），在外延层（3）的表面，沟槽（5）侧壁上部以及多晶硅（6）的表面形成肖特基界面（1）。
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