[实用新型]图像传感器像素和成像系统有效

专利信息
申请号: 201620792142.0 申请日: 2016-07-26
公开(公告)号: CN205883411U 公开(公告)日: 2017-01-11
发明(设计)人: 申请(专利权)人:
主分类号: H04N5/374 分类号: H04N5/374;H04N5/361;H01L27/146
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 代理人: 秦晨
地址: 暂无信息 国省代码: 暂无信息
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摘要: 实用新型提供了一种图像传感器像素和成像系统,所述图像传感器可包括图像传感器像素阵列。每个像素可具有光电二极管、电荷存储区以及电荷溢流电路。所述电荷存储区可用于在全局快门模式下操作所述图像传感器阵列。在高光级照明期间,所述电荷溢流电路可将电荷转移离开所述光电二极管,使得仅预定部分的累积电荷保留在所述光电二极管中。在低光级照明期间,所有所述累积电荷可存储在所述像素光电二极管中。所述电荷溢流电路可包括晶体管以及电阻器或电容器。通过实施电荷溢流电路,在所有光照明条件下,所述电荷存储区的大小均可缩小,同时仍然保留所述图像传感器的所述高动态范围以及的低噪声。
搜索关键词: 图像传感器 像素 成像 系统
【主权项】:
一种图像传感器像素,其特征在于包括:响应于图像光而生成电荷的光电二极管;存储所生成的电荷的电荷存储区;耦接在所述光电二极管和所述电荷存储区之间的全局快门晶体管,其中所述全局快门晶体管被配置成将所生成的电荷从所述光电二极管转移到所述电荷存储区;电容器;以及耦接在所述光电二极管和所述电容器之间的晶体管,其中所述晶体管被配置成将溢流电荷从所述光电二极管转移到所述电容器。
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