[实用新型]电路和集成电路有效
申请号: | 201620779621.9 | 申请日: | 2016-07-22 |
公开(公告)号: | CN205984984U | 公开(公告)日: | 2017-02-22 |
发明(设计)人: | 全祐哲;J·福尔顿;刘春利 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 申发振 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开涉及电路和集成电路。一种电路包括包含第一电极、第二电极和控制电极的第一晶体管;包含第一电极、第二电极和控制电极的第二晶体管,第二晶体管的第一电极与第一晶体管的第二电极耦接;包含第一端子和第二端子的第一构件,第一构件的第一端子与第一晶体管的第一电极耦接,第一构件的第二端子与第一晶体管的第二电极耦接;包含第一端子和第二端子的第二构件,第一和第二构件是电阻器或二极管,第二构件的第一端子与第二晶体管的第一电极耦接,第二构件的第二端子与第二晶体管的第二电极和第一晶体管的控制电极耦接。本实用新型解决的一个技术问题是防止高压侧晶体管的栅电极上的高应力,一个技术效果是降低高压侧晶体管的栅电极上的应力。 | ||
搜索关键词: | 电路 集成电路 | ||
【主权项】:
一种电路,其特征在于包含:包含第一电流电极、第二电流电极和控制电极的第一晶体管,其中所述第一晶体管是高电子迁移率晶体管;包含第一电流电极、第二电流电极和控制电极的第二晶体管,其中所述第二晶体管的所述第一电流电极与所述第一晶体管的所述第二电流电极耦接;包含第一端子和第二端子的第一构件,其中:所述第一构件是电阻器或二极管;所述第一构件的所述第一端子与所述第一晶体管的所述第一电流电极耦接;并且所述第一构件的所述第二端子与所述第一晶体管的所述第二电流电极耦接;以及包含第一端子和第二端子的第二构件,其中:所述第二构件是电阻器或二极管;所述第二构件的所述第一端子与所述第二晶体管的所述第一电流电极耦接;并且所述第二构件的所述第二端子与所述第二晶体管的所述第二电流电极和所述第一晶体管的所述控制电极耦接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的