[实用新型]陶瓷静电卡盘装置有效
| 申请号： | 201620611847.8 | 申请日： | 2016-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN206022339U | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 徐登峰;朱煜;许岩;杨鹏远;成荣;侯占杰;唐娜娜;雷忠兴;王建冲;韩玮琦 | 申请（专利权）人： | 北京华卓精科科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京恩赫律师事务所11469 | 代理人： | 刘守宪 |
| 地址： | 100084 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种陶瓷静电卡盘装置，属于半导体晶片加工技术领域，所述陶瓷静电卡盘装置包括上层绝缘层、电极层和下层绝缘层，所述上层绝缘层和下层绝缘层采用氮化铝陶瓷，所述下层绝缘层的上表面金属化一层钨金属浆料形成电极层，所述下层绝缘层的上表面边缘区域设置有用于封接上层绝缘层和下层绝缘层的烧结区域，所述烧结区域印刷有氮化铝浆料。本实用新型可以降低电极层翘曲程度，保障平面度、使所述装置的静电吸附力均匀，同时本实用新型所采用的制造工艺简单，制造容易，成本较低，易推广及量产。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷 静电 卡盘 装置 | ||
【主权项】：
一种陶瓷静电卡盘装置，其特征在于，包括上层绝缘层、电极层和下层绝缘层，所述上层绝缘层和下层绝缘层采用氮化铝陶瓷，所述下层绝缘层的上表面中心区域金属化一层钨金属浆料形成电极层，所述下层绝缘层的上表面边缘区域，即所述下层绝缘层上表面未进行金属化区域，设置有用于封接上层绝缘层和下层绝缘层的烧结区域，所述烧结区域印刷有氮化铝浆料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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