[实用新型]一种X波段6位高性能核心芯片

摘要

本实用新型公开了一种X波段6位高性能核心芯片，所述芯片为GaAs MMIC T/R 6位核心芯片，该芯片电路结构包括6位移相器电路、6位衰减器电路、射频开关电路、串行输入寄存器控制电路；电路中采用微带线进行了匹配网络的设计，芯片中间采用梯度的孔径模型；本实用新型提供的核心芯片相移范围宽、增益调节范围宽、集成度高，可广泛应用于雷达、基站、仪表仪器等产品中，提高产品的使用性能。

主权项

一种X波段6位高性能核心芯片，所述芯片为GaAs MMIC T/R 6位核心芯片，其特征在于，该芯片电路结构包括6位移相器电路、6位衰减器电路、射频开关电路、串行输入寄存器控制电路；所述射频开关电路包括顺序连接的射频开关SW3、SW1、SW2；所述6位移相器电路包括6位移相器PHS、移相模块AT1、移相模块AT2；所述6位衰减器电路包括6位衰减器ATT、衰减模块A1、衰减模块A2、衰减模块A3；所述串行输入寄存器控制电路包括信号输入端口RX_IN、信号输出端口TX_OUT和接口COM；所述6位移相器电路和6位衰减器电路与射频开关电路连接；6位移相器电路和6位衰减器电路通过射频开关电路控制运行；所述信号输入端口RX_IN、信号输出端口TX_OUT、接口COM均连接在射频开关电路上。