[实用新型]一种在高真空状态下可高精度调节离子源位置的装置有效

专利信息
申请号: 201620576278.8 申请日: 2016-06-14
公开(公告)号: CN205667007U 公开(公告)日: 2016-10-26
发明(设计)人: 刘尔祥;龙继东;陈宇航;刘平 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院流体物理研究所
主分类号: H05H13/00 分类号: H05H13/00;H05H7/00
代理公司: 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 代理人: 冯龙
地址: 621000*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 实用新型公开了一种在高真空状态下可高精度调节离子源位置的装置,包括设置在壳体中的离子源,所述壳体内部中空且一端开口,在壳体中设置有伸缩调节装置,且伸缩调节装置完全封闭壳体的开口端,伸缩调节装置与离子源连接,且伸缩调节装置能够沿着壳体的轴线方向带动离子源在壳体中移动。该装置结构牢固,能够对离子源的整体长度进行精确调节,调节范围大,并且离子源上的部件也容易拆卸更换,降低更换成本。
搜索关键词: 一种 真空 状态 高精度 调节 离子源 位置 装置
【主权项】:
一种在高真空状态下可高精度调节离子源位置的装置,包括设置在壳体(20)中的离子源,所述壳体(20)内部中空且一端开口,其特征在于,在壳体(20)中设置有伸缩调节装置,且伸缩调节装置完全封闭壳体(20)的开口端,伸缩调节装置与离子源连接,且伸缩调节装置能够沿着壳体(20)的轴线方向带动离子源在壳体(20)中移动。
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