[实用新型]可靠性测试结构有效
| 申请号： | 201620554800.2 | 申请日： | 2016-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN205723527U | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 李玉科 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 300385 天津市西青*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种可靠性测试结构，用于测量一待测薄膜的电阻，其中所述可靠性测试结构包括至少一个测试单元，所述测试单元包括第一有源区、第一隔离结构以及至少一个第一冗余膜层，所述第一有源区和第一隔离结构均形成于一衬底中，所述第一隔离结构位于所述第一有源区两侧，所述第一有源区为需形成待测薄膜的区域，所述第一冗余膜层位于所述第一隔离结构的上方。当对本实用新型中的可靠性测试结构进行金属硅化物的电阻测试时，检测出的结果可更加精确的反映出器件中所形成的金属硅化物的电性能，此外，也可间接对形成金属硅化物的光刻工艺进行异常监控。 | ||
| 搜索关键词： | 可靠性 测试 结构 | ||
【主权项】：
一种可靠性测试结构，用于测量一待测薄膜的电阻，其特征在于，包括至少一个测试单元，所述测试单元包括第一有源区、第一隔离结构以及至少一个第一冗余膜层，所述第一有源区和第一隔离结构均形成于一衬底中，所述第一隔离结构位于所述第一有源区两侧，所述第一有源区为需形成待测薄膜的区域，所述第一冗余膜层位于所述第一隔离结构的上方。
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