[实用新型]成像电路与成像系统有效
申请号: | 201620482910.2 | 申请日: | 2016-05-25 |
公开(公告)号: | CN205789974U | 公开(公告)日: | 2016-12-07 |
发明(设计)人: | R·马杜罗维;I·瑞姆 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/52 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 秦晨 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本实用新型公开了一种成像电路与成像系统,所述成像系统可由多个堆叠式晶片形成。第一晶片可包括背照式光电二极管、浮动扩散区和电荷传输栅极结构。所述第一晶片可接合至第二晶片,所述第二晶片包括像素主干晶体管诸如复位晶体管、源极跟随器晶体管、行选择晶体管以及相关的逻辑电路。所述像素主干晶体管可使用底栅薄主体晶体管来形成。所述第一晶片和所述第二晶片可共用相同的后端金属化层。所述第二晶片还可接合至包括数字信号处理电路的第三晶片。所述数字信号处理电路也可使用底栅薄主体晶体管来实施。附加的金属化层可形成于所述第三晶片上方。所述第一晶片、所述第二晶片和所述第三晶片可使用相同或不同的技术节点来制造。 | ||
搜索关键词: | 成像 电路 系统 | ||
【主权项】:
一种成像电路,其特征在于所述成像电路包括:第一衬底层,所述第一衬底层包括光电二极管和浮动扩散区;第二衬底层,所述第二衬底层接合至所述第一衬底层并且包括像素晶体管;以及互连叠堆,所述互连叠堆形成于所述第二衬底层上,其中所述互连叠堆包括金属结构,所述金属结构耦接至所述第一衬底层中的所述浮动扩散区并且耦接至所述第二衬底层中的所述像素晶体管,并且其中所述第二衬底层插入到所述第一衬底层与所述互连叠堆之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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