[实用新型]单晶硅双面太阳电池有效

专利信息
申请号: 201620450527.9 申请日: 2016-05-17
公开(公告)号: CN205900558U 公开(公告)日: 2017-01-18
发明(设计)人: 盛赟;陈奕峰;崔艳峰;袁声召;端伟元;王子港 申请(专利权)人: 常州天合光能有限公司
主分类号: H01L31/0236 分类号: H01L31/0236;H01L31/18
代理公司: 浙江永鼎律师事务所33233 代理人: 郭小丽
地址: 213031 江苏省常*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开了一种单晶硅双面太阳电池,在单晶硅衬底(100)的正面依次形成正面制绒形貌结构(1)、正面PN发射结(2)、正面钝化减反介质层(3)以及正面电极(4),在单晶硅衬底的背面依次形成背面制绒形貌结构(5)、背表面场(6)、背面钝化减反介质层(7)以及背面电极(8),其特征在于所述背面制绒形貌结构(5)为平台形绒面,各平台结构(5a)分散,或者,平铺,或者,部分分散、部分平铺、部分相连、部分交叠地分布在硅衬底上。本实用新型可优化双面太阳电池的少数载流子表面复合和光学吸收特性,提高量子转换效率。
搜索关键词: 单晶硅 双面 太阳电池
【主权项】:
单晶硅双面太阳电池,在单晶硅衬底(100)的正面依次形成正面制绒形貌结构(1)、正面PN发射结(2)、正面钝化减反介质层(3)以及正面电极(4),在单晶硅衬底的背面依次形成背面制绒形貌结构(5)、背表面场(6)、背面钝化减反介质层(7)以及背面电极(8),其特征在于:所述背面制绒形貌结构(5)为平台形绒面,各平台结构(5a)分散,或者,平铺,或者,部分分散、部分平铺、部分相连、部分交叠地分布在硅衬底上。
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