[实用新型]一种稳定性能好的SiC生长坩埚平台有效
| 申请号： | 201620382505.3 | 申请日： | 2016-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN205711033U | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 宗艳民 | 申请（专利权）人： | 山东天岳晶体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人： | 苗峻 |
| 地址： | 250118 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请涉及SiC生产技术领域，具体为一种稳定性能好的SiC生长坩埚平台。该装置通过螺栓将两块石墨平台连接在一起，并将坩埚固定于两块石墨平台之间，当石墨受热膨胀时，由于螺栓的固定，石墨平台不会发生位置平移，从而保障了坩埚位置的稳定性。另外，该坩埚平台具有结构简单，使用方便等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 稳定 性能 sic 生长 坩埚 平台 | ||
【主权项】：
一种稳定性能好的SiC生长坩埚平台，其特征在于，包括第一石墨平台(1)和第二石墨平台(3)，所述的第一石墨平台(1)和第二石墨平台(3)通过两个螺栓(2)连接在一起，两根螺栓(2)分别贯穿第一石墨平台(1)和第二石墨平台(3)的两侧，在第二石墨平台(3)的一侧为螺帽(4)，在第一石墨平台(1)的一侧为螺母；在螺帽(4)与第二石墨平台(3)之间设有弹簧(5)；所述的第一石墨平台(1)和第二石墨平台(3)相对的一侧，在每个平台上分别设有半圆，两半圆大小及相对位置为对应的，两个半圆正好形成放置坩埚(8)的空间。
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