[实用新型]一种稳定性能好的SiC生长坩埚平台有效
| 申请号： | 201620382505.3 | 申请日： | 2016-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN205711033U | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 宗艳民 | 申请（专利权）人： | 山东天岳晶体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人： | 苗峻 |
| 地址： | 250118 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 稳定 性能 sic 生长 坩埚 平台 | ||
【说明书】：
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