[实用新型]紫外线发光二极管及具有其的紫外线发光元件有效
申请号: | 201620365810.1 | 申请日: | 2016-04-27 |
公开(公告)号: | CN205645857U | 公开(公告)日: | 2016-10-12 |
发明(设计)人: | 高美苏 | 申请(专利权)人: | 首尔伟傲世有限公司 |
主分类号: | H01L33/20 | 分类号: | H01L33/20;H01L33/64 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本实用新型提供紫外线发光二极管及具有其的紫外线发光元件。紫外线发光二极管包括:基板;半导体层叠结构体,设置于基板上;以及第一电极及第二电极,设置于半导体层叠结构体上,半导体层叠结构体具有4μm至10μm的厚度,基板具有400μm至500μm的厚度。与半导体层叠结构体相比,使用厚度为40倍以上,甚至为100倍以上的大基板,从而基板能够更多地容纳半导体层叠结构体生成的热。另外,由于基板的表面积增加,因而通过基板表面的散热也增加。进一步而言,与半导体层叠结构体相比,采用极厚的基板,从而从半导体层叠结构体生成的光容易通过基板表面排出到外部,改善了光提取效率。 | ||
搜索关键词: | 紫外线 发光二极管 具有 发光 元件 | ||
【主权项】:
一种紫外线发光二极管,其特征在于,所述紫外线发光二极管包括:基板;半导体层叠结构体,设置于所述基板上;以及第一电极及第二电极,设置于所述半导体层叠结构体上,所述半导体层叠结构体具有4μm至10μm的厚度,所述基板具有400μm至500μm的厚度。
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