[实用新型]一种无需运算放大器的带隙基准电路有效

专利信息
申请号: 201620274772.9 申请日: 2016-04-05
公开(公告)号: CN205485709U 公开(公告)日: 2016-08-17
发明(设计)人: 廖建平;林桂江;杨瑞聪;杨凤炳;任连峰;刘玉山;沈滨旭 申请(专利权)人: 厦门新页微电子技术有限公司
主分类号: G05F3/26 分类号: G05F3/26
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 361008 福建省厦*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 实用新型公开一种无需运算放大器的带隙基准电路,其包括顺次电性连接的基准启动电路和带隙基准电路。基准启动电路用于消除基准电路的简并点,保证带隙基准电路能正常启动工作;带隙基准电路通过合理设计晶体管(NMOS和PMOS)尺寸、电阻R2和R3的比值及四个三极管的规格性能实现输出稳定的基准电压,且该基准电压不受温度及电源电压VDD变化的影响。采用本实用新型所述的带隙基准电路,无需使用运算放大器,避免由于电路采用运算放大器,容易造成电路运行的稳定性问题,而需要额外考虑采用频率补偿电路解决电路稳定性等问题,大大简化了电路结构,增强电路的稳定性及实用性。
搜索关键词: 一种 无需 运算放大器 基准 电路
【主权项】:
一种无需运算放大器的带隙基准电路,其特征在于:包括顺次电性连接的基准启动电路和带隙基准电路;所述基准启动电路包括第一电阻R1、NMOS管MN1、NMOS管MN2、NMOS管MN3及PMOS管MP1;所述第一电阻R1的输入端与电源电压VDD及PMOS管MP1的源极连接;所述第一电阻R1的输出端与NMOS管MN3的栅极及NMOS管MN1漏极连接,所述NMOS管MN1的源极接地;所述NMOS管MN1的栅极与NMOS管MN2的栅极及漏极连接;所述NMOS管MN2的源极接地;所述PMOS管MP1的漏极与NMOS管MN2的栅极及漏极连接;所述PMOS管MP1的栅极与NMOS管MN3的漏极及所述带隙基准电路连接;所述NMOS管MN3的源极及所述带隙基准电路连接。
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