[实用新型]一种片式宽域汽车氧传感器芯片结构有效
| 申请号： | 201620248681.8 | 申请日： | 2016-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN205643237U | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 赵芃;谢光远;甘章华;罗志安 | 申请（专利权）人： | 武汉科技大学 |
| 主分类号： | G01N27/26 | 分类号： | G01N27/26 |
| 代理公司： | 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 | 代理人： | 唐正玉 |
| 地址： | 430081 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种片式宽域汽车氧传感器芯片结构，由五层基片自上而下依次叠压而成；5层基片分别为第一基体层、第二基体层、第三基体层、第四基体层和第五基体层，在第一基体层上面形成的氧泵外电极及氧泵外电极的保护层；在第三基体层的下面形成参比电极，以及形成在第三基体层和第四基体层之间形成参比通道；在第五基体层的上面，形成经过绝缘层覆盖的加热电极，经过导电孔至第五基体层下面的连接引脚；其特征在于：在第一基体层下面形成氧泵内电极及内空腔和扩散障碍层，导气通道连接被测气氛和扩散障碍层。本实用新型在原结构冲切制小孔处分别形成导气通道和扩散层。其优点是结构简化，制作和生产过程简化，成品率更高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 片式宽域 汽车 传感器 芯片 结构 | ||
【主权项】：
一种片式宽域汽车氧传感器芯片结构，由五层基片自上而下依次叠压而成；5层基片分别为第一基体层(1)、第二基体层(2)、第三基体层(3)、第四基体层(4)和第五基体层(5)，在第一基体层(1)上面形成的氧泵外电极(15)及氧泵外电极的保护层(16)；在第三基体层(3)的下面形成参比电极(10)，以及形成在第三基体层(3)和第四基体层(4)之间形成参比通道(9)；在第五基体层(5)的上面，形成经过绝缘层覆盖的加热电极(8)，经过导电孔(6)至第五基体层(5)下面的连接引脚(7)；其特征在于：在第一基体层(1)下面形成氧泵内电极(14)及内空腔(13)和扩散障碍层(12)，导气通道(11)连接被测气氛和扩散障碍层(12)。
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