[实用新型]一种基于软开关的非隔离降压拓扑结构

摘要

本实用新型涉及一种基于软开关的非隔离降压拓扑结构，所述电源V1的正极分别并接电容C1的一端和MOSFET M1的漏极，电容C1的另一端连接到电源V1的负极，MOSFET M1的源极分别并接MOSFET M2的漏极和主绕组L1的一端，MOSFET M2的源极连接到电源V1的负极，主绕组L1的另一端分别并接电容C2的一端和电阻R1的一端，电容C2的另一端和电阻R1的另一端分别连接到电源V1的负极，MOSFET M3的漏极和MOSFET M的漏极分别连接到从绕组L2的两端，MOSFET M3的源极和MOSFET M4的源极分别连接到电源V1的负极，电源V1的负极接地。本实用新型的基于软开关的非隔离降压拓扑结构，在保持原buck拓扑的基础上通过软开关降低能量消耗、降低电磁干扰，利用增加开关频率实现电源的小型化，提高功率密度。

主权项

一种基于软开关的非隔离降压拓扑结构，其特征在于：包括电源V1，电容C1和C2，负载R1，MOSFET M1、M2、M3、和M4，变压器K1以及变压器K1的主绕组L1、从绕组L2，所述电源V1的正极分别并接电容C1的一端和MOSFET M1的漏极，电容C1的另一端连接到电源V1的负极，MOSFET M1的源极分别并接MOSFET M2的漏极和主绕组L1的一端，MOSFET M2的源极连接到电源V1的负极，主绕组L1的另一端分别并接电容C2的一端和电阻R1的一端，电容C2的另一端和电阻R1的另一端分别连接到电源V1的负极，MOSFET M3的漏极和MOSFET M的漏极分别连接到从绕组L2的两端，MOSFET M3的源极和MOSFET M4的源极分别连接到电源V1的负极，电源V1的负极接地；在MOSFET M1、M2、M3、和M4的内部，漏极和源极之间均并接二极管，漏极连接二极管的阳极，源极连接二极管的阴极，MOSFET M1、M2、M3、和M4的栅极均连接驱动电路。