[实用新型]利用基质滤波的窄线宽外腔面发射激光器有效
| 申请号： | 201620188526.1 | 申请日： | 2016-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN205406955U | 公开（公告）日： | 2016-07-27 |
| 发明（设计）人： | 张鹏;蒋茂华;朱仁江;范嗣强;张玉 | 申请（专利权）人： | 重庆师范大学 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;H01S5/06;H01S5/18;H01S5/024 |
| 代理公司： | 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 | 代理人： | 谢殿武 |
| 地址： | 401331 重庆市*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种利用基质滤波的窄线宽外腔面发射激光器，包括泵浦光学系统、半导体增益薄片和耦合输出镜，所述半导体增益薄片由上到下依次包括基质部分、多量子阱有源层和布喇格反射层；所述基质部分厚度为数百微米左右，不但对激光透明，同时对输出激光形成标准具效应，极大减少输出激光的模式，压窄激光器的线宽，得到窄线宽激光输出；传统的面发射激光器基质处于增益芯片底部，最后会被刻蚀掉。本实用新型将基质置于增益芯片顶部，并有效利用其标准具效应，获得窄线宽激光输出的同时，免去了面发射激光器制作工艺中基质刻蚀的复杂繁琐过程。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 基质 滤波 窄线宽外腔面 发射 激光器 | ||
【主权项】：
一种利用基质滤波的窄线宽外腔面发射激光器，其特征在于：包括泵浦光学系统、半导体增益薄片和耦合输出镜，所述半导体增益薄片由上到下依次包括基质片、多量子阱有源层和布喇格反射层，所述基质片为透光片。
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