[实用新型]一种基于脉冲气流生长二硫化钼薄膜的化学气相沉积设备有效
申请号: | 201620184845.5 | 申请日: | 2016-03-09 |
公开(公告)号: | CN205473973U | 公开(公告)日: | 2016-08-17 |
发明(设计)人: | 林本慧 | 申请(专利权)人: | 无锡盈芯半导体科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 214177 江苏省无锡市惠山经济*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种基于脉冲气流生长二硫化钼薄膜的化学气相沉积设备,其特征在于:所述设备包括支撑台、石英管、一号管式加热炉膛、二号管式加热炉膛、恒温鼓泡瓶、进气系统以及尾气系统;所述石英管通过支撑机构固定在支撑台上,所述一号管式加热炉膛和二号管式加热炉膛通过滑轨沿石英管外径径向滑动;所述石英管两端分别设为进气端和出气端,所述进气端和出气端均设有密封法兰;所述进气端通过密封法兰连接进气系统和恒温鼓泡瓶,所述出气端通过密封法兰连接尾气系统。采用本实用新型所述的化学气相沉积设备能够获得高质量大尺寸的层状二硫化钼薄膜,为制备TMDs光电器件打下坚实基础。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 脉冲 气流 生长 二硫化钼 薄膜 化学 沉积 设备 | ||
【主权项】:
一种基于脉冲气流生长二硫化钼薄膜的化学气相沉积设备,其特征在于:所述设备包括支撑台、石英管、一号管式加热炉膛、二号管式加热炉膛、恒温鼓泡瓶、进气系统以及尾气系统;所述石英管通过支撑机构固定在支撑台上,所述一号管式加热炉膛和二号管式加热炉膛通过滑轨沿石英管外径径向滑动;所述石英管两端分别设为进气端和出气端,所述进气端和出气端均设有密封法兰;所述进气端通过密封法兰连接进气系统和恒温鼓泡瓶,所述出气端通过密封法兰连接尾气系统。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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