[实用新型]静电卡盘装置有效
| 申请号： | 201620164034.9 | 申请日： | 2016-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN205406505U | 公开（公告）日： | 2016-07-27 |
| 发明（设计）人： | 朱煜;徐登峰;杨鹏远;成荣;许岩;穆海华;王建冲;唐娜娜 | 申请（专利权）人： | 北京华卓精科科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京恩赫律师事务所 11469 | 代理人： | 赵文成;刘守宪 |
| 地址： | 100084 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种静电卡盘装置，属于半导体晶片加工技术领域，所述静电卡盘装置包括介电层、电极层、绝缘层和金属基体，所述介电层设置在绝缘层的上方，所述电极层通过激光焊接工艺封装在所述介电层和绝缘层之间，所述绝缘层设置在所述金属基体上。本实用新型的静电卡盘装置的电极层和介电层不变形、静电吸附力均匀、封装强度高、气密性好。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 卡盘 装置 | ||
【主权项】：
一种静电卡盘装置，其特征在于，包括介电层、电极层、绝缘层和金属基体，所述介电层上设置有第一激光焊接区域，所述介电层设置在所述绝缘层的上方，所述绝缘层上设置有与所述第一激光焊接区域对应的第二激光焊接区域，所述电极层设置在所述介电层和绝缘层之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京华卓精科科技股份有限公司，未经北京华卓精科科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201620164034.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：易组装的晶闸管散热器
- 下一篇：一种刻蚀设备
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
