[实用新型]紫外GaN基LED外延结构有效
| 申请号： | 201620155376.4 | 申请日： | 2016-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN205385037U | 公开（公告）日： | 2016-07-13 |
| 发明（设计）人： | 冯猛;陈立人;刘恒山 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种紫外GaN基LED外延结构，LED外延结构依次包括：衬底；位于衬底上的低温缓冲层；位于低温缓冲层上的高温u‑GaN层；位于高温u‑GaN层上的高温n‑GaN层；位于高温n‑GaN层上的低温AlGaN/GaN超晶格层，低温AlGaN/GaN超晶格层包括层叠设置的低温AlGaN层和低温GaN层。本实用新型采用低温AlGaN/GaN超晶格层取代传统的InGaN/GaN应力释放层，通过调整低温AlGaN/GaN超晶格层的生长工艺，可以沿着位错缺陷产生V‑pits，从而阻挡载流子在位错缺陷处产生非辐射复合。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外 gan led 外延 结构 | ||
【主权项】：
一种紫外GaN基LED外延结构，其特征在于，所述LED外延结构依次包括：衬底；位于所述衬底上的低温缓冲层；位于所述低温缓冲层上的高温u‑GaN层；位于所述高温u‑GaN层上的高温n‑GaN层；位于所述高温n‑GaN层上的低温AlGaN/GaN超晶格层，所述低温AlGaN/GaN超晶格层包括层叠设置的低温AlGaN层和低温GaN层；位于所述低温AlGaN/GaN超晶格层上的低温InGaN/AlGaN紫外发光层，所述低温InGaN/AlGaN紫外发光层包括层叠设置的低温InGaN量子阱层和低温AlGaN量子垒层，所述低温InGaN/AlGaN紫外发光层的发光波长为365~390nm；位于所述低温InGaN/AlGaN紫外发光层上的高温p‑AlGaN电子阻挡层；位于所述高温p‑AlGaN电子阻挡层上的高温p‑GaN层。
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