[实用新型]一种MOCVD反应腔室的清理装置有效
申请号: | 201620116629.7 | 申请日: | 2016-02-05 |
公开(公告)号: | CN205443444U | 公开(公告)日: | 2016-08-10 |
发明(设计)人: | 徐志军;王亚伟;周宏敏;刘勇;吴洪浩;寻飞林;李政鸿;谢祥彬;林兓兓;张家宏 | 申请(专利权)人: | 安徽三安光电有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 241000 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本实用新型提供一种MOCVD反应腔室的清理装置,属于半导体制造技术领域,本实用新型通过在承载盘上铰接清理手臂制作清理装置,并通过设定清理手臂与水平面的夹角α、及清理装置的旋转速度n,使清理手臂在最小转速下即可于竖直方向张开,进而对反应腔室内壁清理,减少能耗;同时实现了在不拆开反应腔室的基础上就可以将堆积于腔室内的沉积物清除干净,避免了反应腔室内部与大气接触吸附水汽、氧气等杂质。保持了反应腔室内部的洁净度,提高了在腔室维护过后机器性能的稳定性。 | ||
搜索关键词: | 一种 mocvd 反应 清理 装置 | ||
【主权项】:
一种MOCVD反应腔室的清理装置,至少包括:一承载盘、复数个均匀分布并铰接于承载盘上部边缘处的清理手臂,所述清理手臂处于静止状态时均向所述承载盘中心方向倾斜,且清理手臂与水平面的夹角为α,0°<α<90°。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的