[实用新型]AlGaInP系发光二极管有效
| 申请号： | 201620112664.1 | 申请日： | 2016-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN205385039U | 公开（公告）日： | 2016-07-13 |
| 发明（设计）人： | 贾月华;吴俊毅;陶青山;王笃祥 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种AlGaInP系发光二极管，其包括：基板，具有相对的上表面和下表面；发光外延叠层，位于所述基板的上表面，至少包含第一半导体层、第二半导体层和夹在两者之间的发光层；电极，位于所述发光外延叠层的上表面，由焊盘和扩展电极构成；所述扩展电极通过一GaAs接触层与所述发光外延叠层形成欧姆连接，所述GaAs接触层嵌入所述发光外延叠层内，并由所述扩展电极覆盖。 | ||
| 搜索关键词： | algainp 发光二极管 | ||
【主权项】：
AlGaInP系发光二极管，包括：基板，具有相对的上表面和下表面；发光外延叠层，位于所述基板的上表面，至少包含第一半导体层、第二半导体层和夹在两者之间的发光层；电极，位于所述发光外延叠层的上表面，由焊盘和扩展电极构成；其特征在于：所述扩展电极通过一GaAs接触层与所述发光外延叠层形成欧姆连接，所述GaAs接触层嵌入所述发光外延叠层内，并由所述扩展电极覆盖。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津三安光电有限公司，未经天津三安光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201620112664.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种全角度发光的LED光源
- 下一篇：紫外GaN基LED外延结构
