[实用新型]SJ-MOS管电路的拓扑结构

摘要

本实用新型提供一种SJ-MOS管电路的拓扑结构，包括第一SJ-MOS管Q101和第二SJ-MOS管Q102，以及快恢复二极管D1；第一SJ-MOS管Q101和第二SJ-MOS管Q102的栅极接在一起作为复合管的栅极；第一SJ-MOS管Q101的漏极连接快恢复二极管D1的阴极，并作为复合管的漏极；第一SJ-MOS管Q101的源极接第二SJ-MOS管Q102的源极；第二SJ-MOS管的漏极接快恢复二极管D1的阳极，并作为复合管的源极。本实用新型可避开原SJ-MOS寄生二极管反向恢复很差的问题，使得SJ-MOS管电路的拓扑结构的应用电路工作更稳定，SJ-MOS管不容易损坏。

主权项

一种SJ‑MOS管电路的拓扑结构，其特征在于，包括第一SJ‑MOS管Q101和第二SJ‑MOS管Q102，以及快恢复二极管D1；第一SJ‑MOS管Q101和第二SJ‑MOS管Q102的栅极接在一起作为复合管的栅极；第一SJ‑MOS管Q101的漏极连接快恢复二极管D1的阴极，并作为复合管的漏极；第一SJ‑MOS管Q101的源极接第二SJ‑MOS管Q102的源极；第二SJ‑MOS管的漏极接快恢复二极管D1的阳极，并作为复合管的源极。