[实用新型]一种并联结构的PTC热敏组件有效

专利信息
申请号: 201620053131.0 申请日: 2016-01-20
公开(公告)号: CN205564431U 公开(公告)日: 2016-09-07
发明(设计)人: 方勇;杨铨铨;高道华 申请(专利权)人: 上海长园维安电子线路保护有限公司
主分类号: H01C7/02 分类号: H01C7/02;H01C1/14
代理公司: 上海东亚专利商标代理有限公司 31208 代理人: 董梅
地址: 201202 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 实用新型涉及一种并联结构的PTC热敏组件,其中包含至少两层具有电阻正温度效应的芯片、第一U型或V型金属引脚和第二金属引脚。其中具有电阻正温度效应的芯片包含上电极箔、下电极箔及一叠夹在上下电极箔间的具有电阻正温度系数效应的材料层;第一U型或V型金属引脚同时连接上层具有电阻正温度系数效应的芯片的上电极箔和下层具有电阻正温度系数效应的芯片的下电极箔。第二金属引脚同时连接上层具有电阻正温度系数效应的芯片的下电极箔和下层具有电阻正温度系数效应的芯片的上电极箔。本实用新型的PTC热敏组件具有低电阻特性,且在具有较大维持电流的同时可以实现低触发温度。
搜索关键词: 一种 并联 结构 ptc 热敏 组件
【主权项】:
一种并联结构的PTC热敏组件,具有电阻正温度效应的芯片,其特征在于:包含:(a)堆叠排列的至少两层具有电阻正温度效应的芯片,每层芯片均由上电极箔片、下电极箔片及紧密夹固在上、下电极箔片之间的具有电阻正温度效应的材料层组成;(b)第一U型或V型金属引脚,该U型或V型金属引脚同时连接上层具有电阻正温度效应的芯片的上电极箔片和下层具有电阻正温度效应的芯片的下电极箔片;(c)第二金属引脚,同时连接上层具有电阻正温度效应的芯片的下电极箔片和下层具有电阻正温度效应的芯片的上电极箔片。
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