[发明专利]一种超快恢复二极管结构的实现方法

摘要

本发明公开了一种超快恢复二极管结构的实现方法，属于二极管技术领域，解决了超快恢复二极管在生产时制造流程长，成本高，生产出来的超快恢复二极管的芯片平整性较差，可靠性能较差，封装工艺兼容性差的问题。

主权项

1.一种超快恢复二极管结构的实现方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤1：在N+型掺杂硅片层(4)的上面外延生长N‑型硅层(3)；步骤2：在N‑型硅层(3)的上面生长第一介质层(6)；步骤3：在第一介质层(6)上以光刻的方式刻出中部槽(12)、第一环形槽(13)和第二环形槽(14)；第二环形槽(14)、第一环形槽(13)和中部槽(12)为由外至内依次设置，第二环形槽(14)、第一环形槽(13)和中部槽(12)均向下贯穿第一介质层(6)；第二环形槽(14)和第一环形槽(13)均为环形结构，第一环形槽(13)间隔围绕在中部槽(12)的外圈，第二环形槽(14)间隔围绕在第一环形槽(13)的外圈，中部槽(12)与第一环形槽(13)之间的间隔为第一介质环；第一环形槽(13)与第二环形槽(14)之间的间隔为第二介质环；步骤4：分别通过第二环形槽(14)、第一环形槽(13)和中部槽(12)向N‑型硅层(3)掺入P型杂质，并相应形成中部阳极掺杂区域(17)、第一阳极终端保护区域(18)和第二阳极终端保护区域(19)，第一阳极终端保护区域(18)为环形，第二阳极终端保护区域(19)间隔围绕在中部阳极掺杂区域(17)的外圈，第二阳极终端保护区域(19)间隔围绕在第二阳极终端保护区域(19)的外圈；步骤5：沿第一介质层(6)的外沿光刻出外沿槽(20)，外沿槽(20)贯穿第一介质层(6)，通过外沿槽(20)向N‑型硅层(3)中掺入N型杂质，形成终端截止环区域(21)；步骤6：在第一介质层(6)的上面淀积金属，形成金属层，并且外沿槽(20)、第二环形槽(14)、第一环形槽(13)和中部槽(12)里均填充金属；步骤7：在金属层上光刻出三个环形槽(23)，三个环形槽为由外至内依次设置，环形槽(23)向下贯穿金属层，光刻出三个槽(23)后金属层上保留下来的金属部分包含保留第一环形槽(13)内的第一保留金属部(33)和第一保留金属部(33)上侧的第一金属环结构部(34)；保留第二环形槽(14)内的第二保留金属部(35)和第二保留金属部(35)上的第二金属环结构部(36)、金属层中部和间隔设于金属层中部外圈的金属层外环部，金属层外环部包括第一覆盖环(26)和第二覆盖环(27)，第一覆盖环(26)在N‑型硅层(3)的上面，第二覆盖环(27)在第一介质层(6)的上面，金属层中部包括第三覆盖环(28)和第四覆盖环(29)，第三覆盖环(28)在N‑型硅层(3)的上面，第四覆盖环(29)在第一介质层(6)的上面，金属层中部、第二金属环结构部(36)、第一金属环结构部(34)、金属层外环部为由内向外依次设置；步骤8：N+型掺杂硅片层(4)的下表面进行减薄处理；步骤9：在N+型掺杂硅片层(4)的下面生长金属层(32)。