[发明专利]一种在后道互连中生成空气隙结构的方法有效
申请号: | 201611245938.5 | 申请日: | 2016-12-29 |
公开(公告)号: | CN106803496B | 公开(公告)日: | 2019-09-13 |
发明(设计)人: | 姚嫦娲 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;陈慧弘 |
地址: | 201210 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提出了一种在后道互连中形成空气隙结构的方法,通过XeF2干法刻蚀工艺刻蚀掉位于通孔或沟槽侧壁的埋层金属高出金属铜的上表面的部分,即埋层耳朵部分,在接下来介质膜淀积的过程中,可以有效避免空气隙结构的塌陷和空气隙结构的物理强度变低的问题,从而减小器件失效的几率。 | ||
搜索关键词: | 一种 在后 互连 生成 空气 结构 方法 | ||
【主权项】:
1.一种在后道互连中生成空气隙结构的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤S01:在基底上形成平坦化后的金属铜互连结构,所述金属铜互连结构包括金属铜连线、介质层及埋层金属层,金属铜填充于位于介质层的通孔或沟槽内形成金属铜连线,埋层金属层位于通孔或沟槽的侧壁和底部,并且位于介质层与金属铜连线之间,经平坦化后,介质层的上表面、通孔或沟槽的侧壁的埋层金属层的顶部以及金属铜连线的顶部互相齐平;步骤S02:在平坦化后的金属铜互连结构上表面涂布光刻胶,通过曝光和显影形成刻蚀开口;步骤S03:以光刻胶和金属铜为掩膜,通过刻蚀开口刻蚀去除金属铜连线间的介质层;步骤S04:清洗刻蚀后结构;步骤S05:刻蚀去除执行步骤S04后出现的位于通孔或沟槽的侧壁的埋层金属高出金属铜的上表面的部分;步骤S06:淀积上层介质膜,形成空气隙结构。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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