[发明专利]一种在后道互连中生成空气隙结构的方法有效

专利信息
申请号: 201611245938.5 申请日: 2016-12-29
公开(公告)号: CN106803496B 公开(公告)日: 2019-09-13
发明(设计)人: 姚嫦娲 申请(专利权)人: 上海集成电路研发中心有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768
代理公司: 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 代理人: 吴世华;陈慧弘
地址: 201210 上海市*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提出了一种在后道互连中形成空气隙结构的方法,通过XeF2干法刻蚀工艺刻蚀掉位于通孔或沟槽侧壁的埋层金属高出金属铜的上表面的部分,即埋层耳朵部分,在接下来介质膜淀积的过程中,可以有效避免空气隙结构的塌陷和空气隙结构的物理强度变低的问题,从而减小器件失效的几率。
搜索关键词: 一种 在后 互连 生成 空气 结构 方法
【主权项】:
1.一种在后道互连中生成空气隙结构的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤S01:在基底上形成平坦化后的金属铜互连结构,所述金属铜互连结构包括金属铜连线、介质层及埋层金属层,金属铜填充于位于介质层的通孔或沟槽内形成金属铜连线,埋层金属层位于通孔或沟槽的侧壁和底部,并且位于介质层与金属铜连线之间,经平坦化后,介质层的上表面、通孔或沟槽的侧壁的埋层金属层的顶部以及金属铜连线的顶部互相齐平;步骤S02:在平坦化后的金属铜互连结构上表面涂布光刻胶,通过曝光和显影形成刻蚀开口;步骤S03:以光刻胶和金属铜为掩膜,通过刻蚀开口刻蚀去除金属铜连线间的介质层;步骤S04:清洗刻蚀后结构;步骤S05:刻蚀去除执行步骤S04后出现的位于通孔或沟槽的侧壁的埋层金属高出金属铜的上表面的部分;步骤S06:淀积上层介质膜,形成空气隙结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海集成电路研发中心有限公司,未经上海集成电路研发中心有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201611245938.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top