[发明专利]一种面积高效的抗单粒子闩锁加固版图结构

摘要

本发明公开了一种面积高效的抗单粒子闩锁加固版图结构，通过优化版图结构的设计，基于这种单元形成的集成电路，能够使用较小的面积开销解决单粒子效应引起的闩锁问题。N型MOS晶体管和P型MOS晶体管间形成叉指交错的阱、衬底结构，并通过阱上形成的阱接触、衬底上形成的衬底接触进行电荷收集，使得N型MOS晶体管和P型MOS晶体管间寄生的PNPN结构不被高能粒子撞击所触发形成正反馈通路。以较小的面积开销解决了单粒子效应引起的闩锁问题。

主权项

1.一种面积高效的抗单粒子闩锁加固单元版图结构，其特征在于，包括P型衬底(201)、N阱(202)、N型MOS有源区(203)、P型MOS有源区(204)、P衬底接触(205)、N阱接触(206)、P型MOS栅(209)、N型MOS栅(210)、P衬底接触的接触孔(207)和N阱接触的接触孔(208)，在衬底(201)上形成N阱(202)；在N阱(202)外的P型衬底(201)中形成N型MOS有源区(203)，并在此有源区中形成N型MOS晶体管，N型MOS晶体管的源区和漏区皆为N+注入层形成，在N型MOS晶体管的源区和漏区中间位置淀积形成N型MOS栅(210)；在N阱(202)中形成P型MOS有源区(204)，并在此有源区中形成P型MOS晶体管，P型MOS晶体管的源区和漏区皆为P+注入层形成，在P型MOS晶体管的源区和漏区中间位置淀积形成P型MOS栅(209)；在N型MOS晶体管靠近P型MOS晶体管的一侧由P+注入层形成多指型的P衬底接触(205)，P衬底接触(205)在多指型P型衬底(201)内，P衬底接触(205)通过P衬底接触的接触孔(207)与其它导电层连接；在P型MOS晶体管靠近N型MOS晶体管一侧由N+注入层形成多指型的N阱接触(206)，N阱接触(206)在多指型N阱(202)内，N阱接触(206)通过N阱接触的接触孔(208)与其它导电层连接；均为多指型的N阱接触(206)、P衬底接触(205)相互交错形成叉指结构。