[发明专利]基于八分之一模基片集成波导的单层平面双通带滤波器

摘要

本发明公开了一种基于八分之一模基片集成波导的单层平面双通带滤波器，包括介质基片，介质基片的下金属层，介质基片的第一～三上金属层，以及第一～三排金属化通孔；所述第一～三上金属层均为等腰直角三角形，其中第一、三上金属层的斜边长度等于第二上金属层的直角边长度，三者拼接为一个矩形；所述第一、二上金属层之间的缝隙为第一缝隙，第三、二上金属层之间的缝隙为第二缝隙；第二上金属层被第二排通孔所在直线平分为左右两部分；第一、二馈电微带线与第二上金属层的斜边相接。本发明能实现双通带滤波，因为采用基于八分之一模基片集成波导腔体谐振器的单层平面结构，缩减了体积、节省了成本，还兼具低损耗、高功率容量的特点。

主权项

1.一种基于八分之一模基片集成波导的单层平面双通带滤波器，其特征在于，包括介质基片(4)，介质基片(4)的下金属层(5)，介质基片(4)的第一上金属层(1)、第二上金属层(2)、第三上金属层(3)，以及第一排金属化通孔(8)、第二排金属化通孔(9)、第三排金属化通孔(10)；所述第一上金属层(1)、第二上金属层(2)、第三上金属层(3)均为等腰直角三角形，其中第一上金属层(1)、第三上金属层(3)的斜边长度等于第二上金属层(2)的直角边长度，且第一上金属层(1)、第三上金属层(3)的斜边与第二上金属层(2)的两个直角边相邻，拼接为一个矩形；所述第一上金属层(1)与第二上金属层(2)之间的缝隙为第一缝隙(11)，第三上金属层(3)与第二上金属层(2)之间的缝隙为第二缝隙(12)；第二上金属层(2)被第二排金属化通孔(9)所在直线平分为左右两部分，记为第二左侧上金属层和第二右侧上金属层；第一馈电微带线(6)、第二馈电微带线(7)与第二上金属层(2)的斜边相接；所述第一排金属化通孔(8)、第三排金属化通孔(10)分别沿着第一上金属层(1)、第三上金属层(3)的直角边设置，且第一排金属化通孔(8)、第三排金属化通孔(10)均平行于第二排金属化通孔(9)；所述第一上金属层(1)、介质基片(4)、下金属层(5)与第一排金属化通孔(8)构成谐振腔，记为二号腔体；第二左侧上金属层、介质基片(4)、下金属层(5)与第二排金属化通孔(9)构成谐振腔，记为一号腔体；第二右侧上金属层、介质基片(4)、下金属层(5)与第二排金属化通孔(9)构成谐振腔，记为四号腔体；第三上金属层(3)、介质基片(4)、下金属层(5)与第三排金属化通孔(10)构成谐振腔，记为三号腔体。