[发明专利]一种控制砷化镓纳米微结构尺寸的方法有效
| 申请号： | 201611242713.4 | 申请日： | 2016-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN106783578B | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 王盛凯;黄凯亮;刘洪刚;孙兵 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种控制砷化镓纳米微结构尺寸的方法，利用控制砷化镓纳米微结构尺寸的装置对砷化镓纳米微结构的尺寸进行控制，把砷化镓纳米微结构置于腔体中；利用热氧化法对所述砷化镓纳米微结构的尺寸进行控制。本发明通过加热氧化方法实现砷化镓纳米微结构尺寸的减小，一方面杜绝了引入杂质离子，另一方面避免了离子刻蚀造成的损伤，且兼具成本低廉的优势，具有非常重要的应用价值和经济价值；本方法的刻蚀速率在0.01纳米每分钟至30纳米每分钟之间，可以实现砷化镓纳米微结构尺寸在亚22纳米及以上节点上的精确控制，具有高精度的控制效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 控制 砷化镓 纳米 微结构 尺寸 方法 | ||
【主权项】：
一种控制砷化镓纳米微结构尺寸的方法，其特征在于，利用控制砷化镓纳米微结构尺寸的装置对砷化镓纳米微结构的尺寸进行控制，包括：把砷化镓纳米微结构置于腔体中；利用热氧化法对所述砷化镓纳米微结构的尺寸进行控制。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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