[发明专利]用于快速评估绝缘栅双极晶体管性能的基座在审
申请号: | 201611240226.4 | 申请日: | 2016-12-29 |
公开(公告)号: | CN106783662A | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 程炜涛;许生根;王海军;叶甜春 | 申请(专利权)人: | 江苏中科君芯科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L23/495 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)32104 | 代理人: | 曹祖良,刘海 |
地址: | 214135 江苏省无锡市新吴区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种用于快速评估绝缘栅双极晶体管性能的基座,其特征是包括耐高温硬质绝缘固定框架,在耐高温硬质绝缘固定框架中嵌入栅极金属引线框架、集电极金属引线框架和发射极金属引线框架,栅极金属引线框架、集电极金属引线框架和发射极金属引线框架之间保持一定距离,耐高温硬质绝缘固定框架的部分表面作为绝缘栅双极晶体管芯片的贴片平面;所述栅极金属引线框架、集电极金属引线框架和发射极金属引线框架的部分露出于耐高温硬质绝缘固定框架之外,形成栅极管脚、集电极管脚和发射极管脚,栅极管脚、集电极管脚和发射极管脚形成的平面与贴片平面平行。本发明通过该基座可以对绝缘栅双极晶体管芯片贴片和打线后直接进行静态和动态性能评估。 | ||
搜索关键词: | 用于 快速 评估 绝缘 双极晶体管 性能 基座 | ||
【主权项】:
一种用于快速评估绝缘栅双极晶体管性能的基座,其特征是:包括耐高温硬质绝缘固定框架(4),在耐高温硬质绝缘固定框架(4)中嵌入一个栅极金属引线框架(1)、一个集电极金属引线框架(2)和一个发射极金属引线框架(3),栅极金属引线框架(1)、集电极金属引线框架(2)和发射极金属引线框架(3)从左到右依次排列;所述栅极金属引线框架(1)、集电极金属引线框架(2)和发射极金属引线框架(3)之间保持一定的距离;所述栅极金属引线框架(1)的部分表面、集电极金属引线框架(2)的部分表面和发射极金属引线框架(3)的部分表面与耐高温硬质绝缘固定框架(4)的部分表面位于同一平面上,该平面为绝缘栅双极晶体管芯片的贴片平面;所述栅极金属引线框架(1)、集电极金属引线框架(2)和发射极金属引线框架(3)各有部分露出于耐高温硬质绝缘固定框架(4)之外,分别形成栅极管脚、集电极管脚和发射极管脚,栅极管脚、集电极管脚和发射极管脚之间相互平行,栅极管脚、集电极管脚和发射极管脚所形成的平行平面与贴片平面平行。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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