[发明专利]一种化学气相沉积装置有效
申请号: | 201611222834.2 | 申请日: | 2016-12-27 |
公开(公告)号: | CN106811736B | 公开(公告)日: | 2019-03-05 |
发明(设计)人: | 徐龙权;丁杰;张建立;曹盛;赵鹏;罗磊;江风益 | 申请(专利权)人: | 南昌大学;南昌黄绿照明有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 江西省专利事务所 36100 | 代理人: | 张文 |
地址: | 330047 *** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 本发明公开了一种化学气相沉积装置,包括位于反应腔顶部的喷淋头和带侧壁吹扫的反应腔。喷淋头中单圈排列的金属有机气体进气导管设在氢化物进气导管中,使氢化物气体环绕金属有机气体向下输运,氢化物气体或载气从喷淋头内部和外部的进气导管进入反应腔。反应腔的侧壁上设有进气导管,将氢化物或载气输运进入反应腔,起到吹扫作用。在喷淋头中心设置了尾气导管,反应气体沿径向从外侧向中心流动,最终经尾气导管从下向上抽出。使用本发明装置,可在反应腔内形成由外侧向中心的水平层流,相比长距离输运喷淋头,可大幅提升金属有机气体利用率,相比短距离输运喷淋头,将大幅减少反应腔侧壁的反应物沉积,可以满足生产型MOCVD的要求。 | ||
搜索关键词: | 喷淋头 反应腔 进气导管 输运 有机气体 化学气相沉积装置 氢化物气体 尾气导管 氢化物 金属 侧壁 吹扫 载气 反应腔侧壁 反应腔顶部 反应气体 水平层流 中心设置 反应物 单圈 沉积 环绕 抽出 外部 流动 | ||
【主权项】:
1.一种化学气相沉积装置,包括:反应腔和位于反应腔顶部的喷淋头,喷淋头包括一个由顶板、外侧壁、内侧壁和底板组成的空心圆柱体,在顶板的内部设有一个上进气腔,空心圆柱体的内部被中层板分成两个独立且互相密封的部分,从上到下依次为下进气腔和冷却腔,在顶板与底板之间设有与上进气腔和反应腔连通的上进气导管,在中层板与底板之间设有与下进气腔和反应腔连通的下进气导管,在顶板的中心设有尾气导管,尾气导管的上端开口于顶板外,尾气导管的下端向下依次穿过顶板、中层板、底板后与反应腔相连通,其特征在于:下进气腔被两个竖直的隔离壁分成三个部分,沿径向从中心向外侧依次为内下进气腔、中下进气腔和外下进气腔,上进气腔的进气导管的直径小于中下进气腔的进气导管的直径,且上进气腔的进气导管设置在中下进气腔的进气导管中,上进气腔、内下进气腔、中下进气腔、外下进气腔的反应气体经各自的进气导管从上向下喷入反应腔中,在反应腔的侧壁内部设有进气腔,穿过侧壁设有与侧壁进气腔和反应腔连通的侧壁进气导管,反应气体经侧壁进气导管从外侧向中心喷入反应腔中,反应腔的侧壁进气腔包括上侧壁进气腔和下侧壁进气腔,其中:上侧壁进气腔位于基座外侧上方,上侧壁进气导管分布在喷淋头和基座之间的侧壁上,而下侧壁进气腔位于基座外侧下方,下侧壁进气导管分布在基座下方的侧壁上。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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