[发明专利]一种超薄图像传感器晶片的磨制方法

摘要

本发明公开了一种超薄图像传感器晶片的磨制方法，主要包括粗磨、精磨、抛光和分片等工艺，为解决晶片在精磨至超薄时产生的强度不足和易碎裂问题，在精磨前通过双面UV胶蓝膜将晶片贴附在高强度透光支撑件上形成组合体，并且在后面的抛光、分片处理过程中将组合体整体转移，以解决超薄晶片进行转移易产生变形和扭曲问题。最后通过UV光照射，移除支撑件和双面UV胶蓝膜得到超薄图像传感器单体芯片。通过本发明方法磨制后的晶片厚度在100um左右，达到行业内的最薄水准，对高像素摄像头产品的整体高度减薄起到至关重要的作用。

主权项

一种超薄图像传感器晶片的磨制方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）将待研磨的图像传感器晶片正面贴上单面UV胶蓝膜，正面朝下，通过真空吸气的方式固定在粗磨工站的可自转多孔承载平台上；（2）利用粗磨金刚砂磨轮从图像传感器晶片背面对硅基材进行打磨，同时多孔承载平台带动图像传感器晶片转动，金刚砂磨轮的推进系统带动磨轮向下运动，将图像传感器晶片厚度磨薄到250~350um；（3）将粗磨完成后的图像传感器晶片移出进行UV曝光，去掉单面UV胶蓝膜，再将图像传感器晶片正面通过双面UV胶蓝膜贴附到支撑件上，形成组合体，将组合体装在精磨工站的可自转多孔承载平台上；（4）利用精磨金刚砂磨轮从图像传感器晶片背面对硅基材再进行精细打磨，同时多孔承载平台带动图像传感器晶片转动，金刚砂磨轮的推进系统带动磨轮的向下运动，在将晶片从130~180um减薄到90~120um过程中，提高精磨金刚砂磨轮的旋转速度，并降低金刚砂磨轮的推进系统速度和多孔承载平台的自转速度，最终将图像传感器晶片厚度磨薄到90~120um；（5）将组合体转移到抛光工站对硅基材进行抛光处理；（6）将组合体转移到分片工站进行切割；（7）将切割好的图像传感器晶片硅基材面贴上单面UV胶蓝膜，并使用UV光照射双面UV胶蓝膜区域后，移除支撑件和双面UV胶蓝膜。