[发明专利]一种垂直型磁电阻元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201611192685.X | 申请日： | 2016-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN108232003B | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 夏文斌;郭一民;肖荣福;陈峻;麻榆阳 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种磁电阻元件，依次包括种子层、磁固定层、势垒层、磁记忆层和覆盖层。其中磁固定层的磁化方向不变且磁各向异性垂直于层表面，磁固定层又细分为具有面心立方晶格结构的磁稳定层，晶格转化结合层和磁参考层。磁采用铁钴硼复合材料，且其磁激化方向可变并垂直于层表面。势垒层位于磁参考层和磁记忆层之间，是一种氧化膜。种子层材料具有帮助磁稳定层形成热稳定的面心立方晶格结构的功能。高温退火后磁参考层和磁记忆层中的铁钴硼从非晶态转变为体心立方的晶态结构。通过引入晶格转化结合层将具有面心立方晶格结构的磁稳定层与上面具有体心立方结构的铁钴硼参考层有机结合起来。本发明还提供了上述磁电阻元件的制备工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 磁电 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁电阻元件，其特征在于，依次包括种子层、磁固定层、势垒层、磁记忆层、覆盖层；所述种子层采用具有面心立方晶格结构的材料；所述磁固定层的磁化方向不变且磁各向异性垂直于所述磁固定层表面；所述磁记忆层的磁化方向可变且磁各向异性垂直于所述磁记忆层表面，所述磁记忆层具有体心立方晶格结构；所述势垒层位于所述磁固定层和所述磁记忆层之间，所述势垒层是一种氧化物；所述覆盖层具有保护所述磁记忆层、增加磁电阻效应和充当蚀刻硬掩膜的作用。
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