[发明专利]一种多层全息天线SiGe基等离子pin二极管的制备方法在审
| 申请号： | 201611184746.8 | 申请日： | 2016-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN106654522A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 尹晓雪 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01Q1/22 | 分类号： | H01Q1/22;H01Q1/36;H01L21/329;H01L29/868 |
| 代理公司： | 西安智萃知识产权代理有限公司61221 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开一种多层全息天线SiGe基等离子pin二极管的制备方法，所述可重构多层全息天线的SiGe基等离子pin二极管制备方法包括在所述SiGeOI半导体基片内设置隔离区；刻蚀所述SiGeOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽，所述P型沟槽和所述N型沟槽的深度小于所述SiGeOI衬底的顶层SiGe的厚度；在所述P型沟槽和所述N型沟槽内采用离子注入形成第一P型有源区和第一N型有源区；填充所述P型沟槽和所述N型沟槽，并采用离子注入在所述SiGeOI衬底的顶层SiGe内形成第二P型有源区和第二N型有源区；在所述SiGeOI衬底上生成二氧化硅；激活有源区中的杂质；在所述P型接触区和所述N型接触区光刻引线孔以形成引线；钝化处理并光刻PAD以完成SiGe基等离子pin二极管的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多层 全息 天线 sige 等离子 pin 二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种多层全息天线SiGe基等离子pin二极管的制备方法，其特征在于，所述可重构多层全息天线包括制作于SiGeOI半导体基片(11)上的天线模块(13)、第一全息圆环(15)和第二全息圆环(17)；其中，所述天线模块(13)、所述第一全息圆环(15)及所述第二全息圆环(17)均包括依次串接的SiGe基等离子pin二极管串；所述SiGe基等离子pin二极管制备方法包括步骤如下：(a)在所述SiGeOI半导体基片(11)内设置隔离区；(b)刻蚀所述SiGeOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽，所述P型沟槽和所述N型沟槽的深度小于所述SiGeOI衬底的顶层SiGe的厚度；(c)氧化所述P型沟槽和所述N型沟槽以使所述P型沟槽和所述N型沟槽的内壁形成氧化层；(d)利用湿法刻蚀工艺刻蚀所述P型沟槽和所述N型沟槽内壁的氧化层以完成所述P型沟槽和所述N型沟槽内壁的平整化；(e)对所述P型沟槽和所述N型沟槽进行离子注入以形成所述第一P型有源区和所述第一N型有源区，所述第一N型有源区为沿离子扩散方向距所述N型沟槽侧壁和底部深度小于1微米的区域，所述第一P型有源区为沿离子扩散方向距所述P型沟槽侧壁和底部深度小于1微米的区域；(f)填充所述P型沟槽和所述N型沟槽，并采用离子注入在所述SiGeOI衬底的顶层SiGe内形成第二P型有源区和第二N型有源区；(g)在所述SiGeOI衬底上生成二氧化硅；利用退火工艺激活有源区中的杂质；(h)在所述P型接触区和所述N型接触区光刻引线孔以形成引线；(i)钝化处理并光刻PAD以完成所述SiGe基等离子pin二极管的制备。
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