[发明专利]基于SPiN二极管的频率可重构套筒偶极子天线制备方法

摘要

本发明涉及一种基于SPiN二极管的频率可重构套筒偶极子天线制备方法。该方法包括：在半导体基片上按照天线的结构特征制作SPiN二极管；采用半导体工艺将多个SPiN二极管的P+接触区及N+接触区依次串接形成多个SPiN二极管串；制作连接SPiN二极管串与电源的直流偏置线；采用半导体工艺对SPiN二极管串进行制作形成SPiN二极管天线臂、第一SPiN二极管套筒及第二SPiN二极管套筒；制作同轴馈线以连接SPiN二极管天线臂、第一SPiN二极管套筒及第二SPiN二极管套筒最终形成天线。通过金属直流偏置线控制SPiN二极管导通时形成的等离子天线臂及套筒长度以实现天线工作频率的可重构。本发明的天线具有易集成、可隐身、频率可快速跳变的特点。

主权项

1.一种基于SPiN二极管的频率可重构套筒偶极子天线制备方法，其特征在于，所述天线包括半导体基片(1)、SPiN二极管天线臂(2)、第一SPiN二极管套筒(3)、第二SPiN二极管套筒(4)、同轴馈线(5)、直流偏置线(9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19)；其中，所述制备方法包括：在所述半导体基片(1)上按照所述天线的结构特征制作SPiN二极管；采用半导体工艺将多个所述SPiN二极管的P+接触区及N+接触区依次串接形成多个SPiN二极管串(w1、w2、w3、w4、w5、w6、w7、w8、w9)；制作连接所述SPiN二极管串(w1、w2、w3、w4、w5、w6、w7、w8、w9)与电源的直流偏置线(9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19)；采用半导体工艺对所述SPiN二极管串(w1、w2、w3、w4、w5、w6、w7、w8、w9)进行制作形成所述SPiN二极管天线臂(2)、所述第一SPiN二极管套筒(3)及所述第二SPiN二极管套筒(4)；制作所述同轴馈线(5)以连接所述SPiN二极管天线臂(2)、所述第一SPiN二极管套筒(3)及所述第二SPiN二极管套筒(4)最终形成所述天线；所述半导体基片(1)为Si基SOI基片；在所述半导体基片(1)制作SPiN二极管，包括：刻蚀所述SOI基片形成隔离槽，填充所述隔离槽形成隔离区，所述隔离槽的深度大于等于所述SOI基片的顶层Si的厚度；刻蚀所述SOI基片形成P型沟槽和N型沟槽；在所述P型沟槽和N型沟槽内采用离子注入形成P型有源区和N型有源区；以及在所述SOI基片上形成引线以完成所述SPiN二极管的制备。