[发明专利]晶界多层结构调控的高丰度稀土烧结钕铁硼磁体的制备方法及其产品有效
| 申请号： | 201611150726.9 | 申请日： | 2016-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN106601401B | 公开（公告）日： | 2018-04-03 |
| 发明（设计）人： | 张培;胡梅娟 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院材料研究所 |
| 主分类号： | H01F1/057 | 分类号： | H01F1/057;H01F41/02 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司51214 | 代理人： | 沈强 |
| 地址： | 621700 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了晶界多层结构调控的高丰度稀土烧结钕铁硼磁体的制备方法及其产品，目的在于解决现有方法无法实现对晶界结构的精细调控，导致晶界强化效果单一、重稀土资源浪费严重，而随着磁体用量的剧增，将导致有限的稀土资源大量消耗的问题。本发明中，采用双合金工艺和二次烧结技术，实现了晶界多层结构调控的高丰度稀土烧结钕铁硼磁体的制备。本发明制备的磁体具有双主相结构，即同时具有Nd2Fe14B主相和(La,Nd)2Fe14B/(Ce,Nd)2Fe14B主相；且晶界相具有重稀土薄壳层/含高丰度稀土的高电位晶界中心层/重稀土薄壳层多层晶界结构。本发明在实现了高丰度稀土充分利用的基础上，通过对晶界结构的精细调控，实现了磁体磁性能和抗腐蚀性能的全面提高，具有较高的应用价值和经济价值。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 结构 调控 高丰度 稀土 烧结 钕铁硼 磁体 制备 方法 及其 产品 | ||
【主权项】：
晶界多层结构调控的高丰度稀土烧结钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）分别取低稀土钕铁硼主相合金粉A1、含高丰度稀土MM的钕铁硼主相合金粉A2，将低稀土钕铁硼主相合金粉A1、含高丰度稀土MM的钕铁硼主相合金粉A2与低熔点重稀土晶界重构合金粉R1xM1y混合，得到第一混合物，将第一混合物加热至低熔点重稀土晶界重构合金粉R1xM1y熔点以上，且加热温度低于1100℃，使低稀土钕铁硼主相合金A1、主相合金A2晶粒边缘形成高磁晶各向异性的重稀土薄壳层，得到中间体；（2）将步骤（1）制备的中间体破碎后，所得粉体与含有高丰度稀土的低熔点高电位晶界重构合金MMaM2b混合，得到第二混合物，将第二混合物进行磁场取向成型后，依次进行烧结、热处理，即得产品。
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