[发明专利]晶界多层结构调控的高丰度稀土烧结钕铁硼磁体的制备方法及其产品

权利要求书

1.晶界多层结构调控的高丰度稀土烧结钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）分别取低稀土钕铁硼主相合金粉A1、含高丰度稀土MM的钕铁硼主相合金粉A2，将低稀土钕铁硼主相合金粉A1、含高丰度稀土MM的钕铁硼主相合金粉A2与低熔点重稀土晶界重构合金粉R1_xM1_y混合，得到第一混合物，将第一混合物加热至低熔点重稀土晶界重构合金粉R1_xM1_y熔点以上，且加热温度低于1100℃，使低稀土钕铁硼主相合金A1、主相合金A2晶粒边缘形成高磁晶各向异性的重稀土薄壳层，得到中间体；

（2）将步骤（1）制备的中间体破碎后，所得粉体与含有高丰度稀土的低熔点高电位晶界重构合金MM_aM2_b混合，得到第二混合物，将第二混合物进行磁场取向成型后，依次进行烧结、热处理，即得产品。

2.根据权利要求1所述晶界多层结构调控的高丰度稀土烧结钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，所述MM为La、Ce中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述晶界多层结构调控的高丰度稀土烧结钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，所述低稀土钕铁硼主相合金粉A1的平均粒度小于5μm，稀土元素含量小于29 wt.%，Nd₂Fe₁₄B相所占比例大于95 %。

4.根据权利要求1所述晶界多层结构调控的高丰度稀土烧结钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，所述含高丰度稀土MM的钕铁硼主相合金粉A2的平均粒度小于5μm，其中的高丰度稀土MM占主相合金粉A2总质量的3 wt.%以上。

5.根据权利要求1-4任一项所述晶界多层结构调控的高丰度稀土烧结钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，所述低熔点重稀土晶界重构合金粉R1_xM1_y中，R1为镧系金属Gd、Tb、Dy、Ho中的一种或多种，M1为O、F、H、Cu、Ni、Fe、Co、Sn、Ti、Nb、Zr中的一种或多种，x、y分别为R1、M1的原子百分数，x的范围为5~80，x与y的和为100。

6.根据权利要求5所述晶界多层结构调控的高丰度稀土烧结钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，所述低熔点重稀土晶界重构合金粉R1_xM1_y的熔点低于900℃。

7.根据权利要求1-4、6任一项所述晶界多层结构调控的高丰度稀土烧结钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，所述低熔点高电位晶界重构合金MM_aM2_b中，MM为镧系金属La、Ce中的一种或两种，M2为高标准电位金属Cu、Ni、Fe、Co中的一种或多种，a、b分别为MM和M2的原子百分数，a的范围为5~80，a与b的和为100。

8.根据权利要求5所述晶界多层结构调控的高丰度稀土烧结钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，所述低熔点高电位晶界重构合金MM_aM2_b中，MM为镧系金属La、Ce中的一种或两种，M2为高标准电位金属Cu、Ni、Fe、Co中的一种或多种，a、b分别为MM和M2的原子百分数，a的范围为5~80，a与b的和为100。

9.根据权利要求1所述晶界多层结构调控的高丰度稀土烧结钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，所述低熔点重稀土晶界重构合金粉R1_xM1_y、低熔点高电位晶界重构合金粉MM_aM2_b的粒度均为0.1-100μm。

10.根据权利要求1-4、6、9任一项所述晶界多层结构调控的高丰度稀土烧结钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）中，将第二混合物进行磁场取向成型后，进行烧结，烧结温度为950-1100℃，烧结时间为2-5h，然后进行两级热处理，一级热处理温度为850-950℃，保温时间为1-5h，二级热处理温度为300-600℃，保温时间为1-5h，即得产品。