[发明专利]一种方形钯纳米片及其制备方法有效
| 申请号： | 201611146620.1 | 申请日： | 2016-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN106735298B | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 张辉;姜一;颜聿聪;杨德仁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | B22F9/24 | 分类号： | B22F9/24;B22F1/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 朱朦琪 |
| 地址： | 310013 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种方形钯纳米片，具有面心立方的结构，外露晶面为{100}，且直接生长在氧化石墨烯表面。还公开了该方形钯纳米片的制备方法，步骤为：将退火处理后的片状氧化石墨烯与离子修饰剂、钯前驱体、还原剂、分散剂与溶剂混合，经反应后得到方形钯纳米片；退火处理的温度为60～120℃；离子修饰剂选自Br‑。本发明提供了一种方形钯纳米片的制备方法，制备方法简单、可控，可制备得到形状规则，{100}晶面外露的面心立方结构的钯纳米片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 方形 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方形钯纳米片，其特征在于，具有面心立方的结构，外露晶面为{100}，且直接生长在氧化石墨烯表面。
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