[发明专利]一种方形钯纳米片及其制备方法

权利要求书

1.一种方形钯纳米片，其特征在于，具有面心立方的结构，外露晶面为{100}，且直接生长在氧化石墨烯表面。

2.一种根据权利要求1所述的方形钯纳米片的制备方法，其特征在于，步骤为：

将退火处理后的片状氧化石墨烯与离子修饰剂、钯前驱体、还原剂、分散剂与溶剂混合得到混合液，经反应后得到方形钯纳米片；

所述的退火处理的温度为60～120℃；

所述的离子修饰剂选自Br^-。

3.根据权利要求2所述的方形钯纳米片的制备方法，其特征在于，所述的钯前驱体选自氯钯酸钠，混合液中氯钯酸钠的浓度为7×10^-3～0.021mol/L。

4.根据权利要求2所述的方形钯纳米片的制备方法，其特征在于，所述的还原剂选自抗坏血酸，混合液中抗坏血酸的浓度为8.5×10^-3～0.017mol/L。

5.根据权利要求2所述的方形钯纳米片的制备方法，其特征在于，所述的分散剂选自聚乙烯吡咯烷酮，混合液中聚乙烯吡咯烷酮的浓度为1.14×10^-4～2.27×10^-4mol/L。

6.根据权利要求2所述的方形钯纳米片的制备方法，其特征在于，所述的溶剂为超纯水，25℃下的电阻率为18MΩ*cm。

7.根据权利要求2所述的方形钯纳米片的制备方法，其特征在于，所述的离子修饰剂为溴化钾，混合液中溴化钾的浓度为0.0021～0.125mol/L。

8.根据权利要求2所述的方形钯纳米片的制备方法，其特征在于，所述反应的温度为60～90℃。

9.根据权利要求2～8任一权利要求所述的方形钯纳米片的制备方法，其特征在于，所述的片状氧化石墨烯经Hummers法制备得到。

10.根据权利要求9所述的方形钯纳米片的制备方法，其特征在于，所述的退火处理的温度为60～100℃。