[发明专利]一种利用高分辨力磁场探测的低噪声MEMS前置放大器件有效
| 申请号： | 201611128681.5 | 申请日： | 2016-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN106646278B | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 潘孟春;潘龙;胡佳飞;田武刚;于洋;陈棣湘;李裴森;胡靖华;杜青法;胡悦国 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| 主分类号： | G01R33/00 | 分类号： | G01R33/00;G01R33/09 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 赵洪;谭武艺 |
| 地址： | 410073 湖南省长沙市砚瓦池正街47*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种利用高分辨力磁场探测的低噪声MEMS前置放大器件，包括绝缘基底和磁力线聚集器，所述磁力线聚集器的底面上绕设有底层线圈，所述磁力线聚集器的顶面上绕设有顶层线圈，所述底层线圈和顶层线圈一起形成绕设于磁力线聚集器上的电流线圈，所述磁力线聚集器呈回形结构且由两个采用高导磁材料生长在绝缘基底上形成的高导磁部件呈轴对称布置构成，两个高导磁部件之间设有间隙，所述绝缘基底上位于所述间隙内设有磁场敏感元件，所述绝缘基底上位于磁场敏感元件的上方设有微压电桥调制组件。本发明能够实现亚纳伏级别的低噪声放大，具有磁场聚集放大效果好、抗外磁场干扰性能好、体积小、电‑磁信号转化效率高的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 磁力线聚集 基底 绝缘 磁场敏感元件 高导磁部件 磁场探测 底层线圈 前置放大 低噪声 高分辨 顶层 低噪声放大 高导磁材料 轴对称布置 磁场聚集 电流线圈 调制组件 干扰性能 回形结构 信号转化 体积小 外磁场 微压电 放大 生长 | ||
【主权项】：
1.一种利用高分辨力磁场探测的低噪声MEMS前置放大器件，其特征在于：包括绝缘基底(1)和磁力线聚集器(2)，所述磁力线聚集器(2)的底面上绕设有底层线圈(3)，所述磁力线聚集器(2)的顶面上绕设有顶层线圈(4)，所述底层线圈(3)和顶层线圈(4)一起形成绕设于磁力线聚集器(2)上的电流线圈，所述磁力线聚集器(2)呈回形结构且由两个采用高导磁材料生长在绝缘基底(1)上形成的高导磁部件(21)呈轴对称布置构成，两个高导磁部件(21)之间设有间隙，所述绝缘基底(1)上位于所述间隙内设有磁场敏感元件(5)，所述绝缘基底(1)上位于磁场敏感元件(5)的上方设有微压电桥调制组件(6)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国人民解放军国防科学技术大学，未经中国人民解放军国防科学技术大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611128681.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种便携式电机效率现场检测装置及方法
- 下一篇：一种体线圈及磁共振成像系统
