[发明专利]一种利用高分辨力磁场探测的低噪声MEMS前置放大器件有效
| 申请号： | 201611128681.5 | 申请日： | 2016-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN106646278B | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 潘孟春;潘龙;胡佳飞;田武刚;于洋;陈棣湘;李裴森;胡靖华;杜青法;胡悦国 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| 主分类号： | G01R33/00 | 分类号： | G01R33/00;G01R33/09 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 赵洪;谭武艺 |
| 地址： | 410073 湖南省长沙市砚瓦池正街47*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁力线聚集 基底 绝缘 磁场敏感元件 高导磁部件 磁场探测 底层线圈 前置放大 低噪声 高分辨 顶层 低噪声放大 高导磁材料 轴对称布置 磁场聚集 电流线圈 调制组件 干扰性能 回形结构 信号转化 体积小 外磁场 微压电 放大 生长 | ||
1.一种利用高分辨力磁场探测的低噪声MEMS前置放大器件，其特征在于：包括绝缘基底(1)和磁力线聚集器(2)，所述磁力线聚集器(2)的底面上绕设有底层线圈(3)，所述磁力线聚集器(2)的顶面上绕设有顶层线圈(4)，所述底层线圈(3)和顶层线圈(4)一起形成绕设于磁力线聚集器(2)上的电流线圈，所述磁力线聚集器(2)呈回形结构且由两个采用高导磁材料生长在绝缘基底(1)上形成的高导磁部件(21)呈轴对称布置构成，两个高导磁部件(21)之间设有间隙，所述绝缘基底(1)上位于所述间隙内设有磁场敏感元件(5)，所述绝缘基底(1)上位于磁场敏感元件(5)的上方设有微压电桥调制组件(6)。
2.根据权利要求1所述的利用高分辨力磁场探测的低噪声MEMS前置放大器件，其特征在于：所述磁场敏感元件(5)为由第一TMR敏感元件(51)、第二TMR敏感元件(52)、第三TMR敏感元件(53)、第四TMR敏感元件(54)四者组成的惠斯通电桥，所述第一TMR敏感元件(51)、第二TMR敏感元件(52)、第三TMR敏感元件(53)、第四TMR敏感元件(54)四者的敏感磁场的方向一致，所述两个高导磁部件(21)之间的间隙包括第一间隙(211)和第二间隙(212)，所述第一TMR敏感元件(51)和第三TMR敏感元件(53)布置于第一间隙(211)中，所述第二TMR敏感元件(52)和第四TMR敏感元件(54)布置于第二间隙(212)中。
3.根据权利要求1所述的利用高分辨力磁场探测的低噪声MEMS前置放大器件，其特征在于：所述微压电桥调制组件(6)包括微压悬臂梁(61)，所述微压悬臂梁(61)分别和设于绝缘基底(1)上的第七连接电极(17)和第八连接电极(18)相连，所述微压悬臂梁(61)的两端分别设有微压电桥基座(62)，所述微压悬臂梁(61)通过微压电桥基座(62)固定于绝缘基底(1)上，所述微压悬臂梁(61)的底面上位于第一间隙(211)和第二间隙(212)的位置均设有调制膜(63)。
4.根据权利要求3所述的利用高分辨力磁场探测的低噪声MEMS前置放大器件，其特征在于：所述微压悬臂梁(61)采用压电晶体材料制成。
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