[发明专利]基于双异质结的Ga2O3/GaN/SiC光电探测二极管及其制备方法

摘要

本发明涉及一种基于双异质结的Ga2O3/GaN/SiC光电探测二极管及其制备方法。该方法包括选取SiC衬底；在SiC衬底表面连续生长同质外延层、GaN层及Ga2O3层；在Ga2O3层表面形成光吸收层；在整个衬底下表面淀积第一金属材料形成底电极；在整个衬底上表面淀积第二金属材料形成顶电极以最终形成所述光电探测二极管。本发明采用了双异质结结构，可有效降低漏电流，从而大幅提高光电二极管的器件可靠性。且将Ga2O3材料应用于光吸收层，充分发挥其在紫外光探测方面的性能，其透明导电的电学特性利于提高光吸收层的光吸收能力，进而大幅提高光电探测二极管的器件性能。

主权项

一种基于双异质结的Ga2O3/GaN/SiC光电探测二极管的制备方法，其特征在于，包括：选取SiC衬底；利用LPCVD工艺，在所述SiC衬底表面生长掺杂N元素的SiC材料以形成N型的同质外延层；采用MOCVD工艺，在所述同质外延表面生长掺杂N元素的GaN材料以形成GaN层；利用MBE工艺，在所述GaN层表面生长β‑Ga2O3材料形成Ga2O3层；在所述Ga2O3层表面形成光吸收层；在整个衬底下表面淀积第一金属材料形成底电极；在整个衬底上表面淀积第二金属材料形成顶电极以最终形成所述光电探测二极管。